Essays.club - Получите бесплатные рефераты, курсовые работы и научные статьи
Поиск

Точные науки

24,988 Точные науки Бесплатные рефераты: 6,001 - 6,030

Перейти на страницу
  • Исследование операционных усилителей

    Исследование операционных усилителей

    Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР) Кафедра промышленной электроники (ПрЭ) ИССЛЕДОВАНИЕ ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ Отчет по лабораторной работе 2 По дисциплине «Аналоговая электроника» Выполнили: студенты гр. 365-2 _________ Семёнов А.М. _________ Барабанов Г.М. «____» _________2017 г.

    Рейтинг:
    Слов: 363  •  Страниц: 2
  • Исследование основ программирования микроконтроллера ATmega16

    Исследование основ программирования микроконтроллера ATmega16

    Министерство науки и высшего образования Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования ИРКУТСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Институт заочно-вечернего образования Кафедра вычислительные системы и сети Лабораторная работа Лабораторная работа №6. Исследование основ программирования микроконтроллера ATmega16 Выполнил: студент группы АТПбз-21-1 Пилипенко И.В. Проверил преподаватель: _________________________ Иркутск 2023 г. Цель

    Рейтинг:
    Слов: 1,957  •  Страниц: 8
  • Исследование основных метрологических характеристик электронных вольтметров

    Исследование основных метрологических характеристик электронных вольтметров

    Кафедра ИИСТ ОТЧЕТ по лабораторной работе №2 по дисциплине «Метрология» Тема: «Исследование основных метрологических характеристик электронных вольтметров» Санкт-Петербург 2022 Цель работы – исследовать метрологические характеристики электронных вольтметров. Задание 1. Ознакомиться аппаратурой и получить от преподавателя конкретное задание для выполнения лабораторной работы. 2. Определить основную погрешность электронного вольтметра, построить зависимости относительной

    Рейтинг:
    Слов: 715  •  Страниц: 3
  • Исследование основных параметров электрических конденсаторов

    Исследование основных параметров электрических конденсаторов

    Министерство образования и науки Российской Федерации Муромский институт (филиал) федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых» (МИ (филиал) ВлГУ) Факультет РЕКС . Кафедра ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 2 по РМРК Тема: Исследование основных параметров электрических конденсаторов. Руководитель Романов В.В. (фамилия,

    Рейтинг:
    Слов: 928  •  Страниц: 4
  • Исследование основных узлов электронного телефонного аппарата

    Исследование основных узлов электронного телефонного аппарата

    ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНОГО ТРАНСПОРТА Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «ИРКУТСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ПУТЕЙ СООБЩЕНИЯ (ФГБОУ ВПО ИрГУПС)» Лабораторная работа № 2 по дисциплине «Системы железнодорожной связи» «Исследование основных узлов электронного телефонного аппарата» Выполнил: Студент группы СОД.3-17-2 Шелбагашева В.В. _________________________ «___»_______________ 2020г. Проверил: Старший преподаватель: Чернов И. Н.

    Рейтинг:
    Слов: 432  •  Страниц: 2
  • Исследование основных характеристик ферромагнетиков

    Исследование основных характеристик ферромагнетиков

    Цель работы Исследование основных характеристик ферромагнетиков: 1. Получение основной кривой намагничивания зависимости магнитной проницаемости от напряженности магнитного поля ферримагнитного образца. 2. Изучение зависимости магнитной проницаемости от частоты . Краткое теоретическое содержание Ферромагнетики- это вещества, которые даже в отсутствии магнитного поля могут обладать самопроизвольной намагниченностью. Ферромагнетики состоят из отдельных областей –

    Рейтинг:
    Слов: 1,427  •  Страниц: 6
  • Исследование особенностей сетей 5G по сравнению с сетями предыдущих поколений

    Исследование особенностей сетей 5G по сравнению с сетями предыдущих поколений

    МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ АЭРОКОСМИЧЕСКОГО ПРИБОРОСТРОЕНИЯ» КАФЕДРА РАДИОТЕХНИЧЕСКИХ СИСТЕМ ОЦЕНКА РЕФЕРАТА РУКОВОДИТЕЛЬ ассистент должность, уч. степень, звание подпись, дата инициалы, фамилия РЕФЕРАТ ИССЛЕДОВАНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ СЕТЕЙ 5G ПО СРАВНЕНИЮ С СЕТЯМИ ПРЕДЫДУЩИХ ПОКОЛЕНИЙ по дисциплине: ВВЕДЕНИЕ В НАПРАВЛЕНИЕ

    Рейтинг:
    Слов: 6,609  •  Страниц: 27
  • Исследование ошибок ИНС

    Исследование ошибок ИНС

    МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ АЭРОКОСМИЧЕСКОГО ПРИБОРОСТРОЕНИЯ» КАФЕДРА № 13 ОТЧЕТ ЗАЩИЩЕН С ОЦЕНКОЙ ПРЕПОДАВАТЕЛЬ доцент, канд. тех. наук, доцент А. И. Панферов должность, уч. степень, звание подпись, дата инициалы, фамилия ОТЧЁТ О ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ОШИБОК ИНС

    Рейтинг:
    Слов: 260  •  Страниц: 2
  • Исследование параметров и характеристик типовых усилительных каскадов на биполярном транзисторе в схемах с общей базой (ОБ) и общим колле

    Исследование параметров и характеристик типовых усилительных каскадов на биполярном транзисторе в схемах с общей базой (ОБ) и общим колле

    Министерство образования и науки Российской Федерации ФГАОУ ВО «Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина» Департамент радиоэлектроники и связи Радиотехнический факультет Кафедра «Радиоэлектроника информационных систем» Лаборатория «Аналоговая обработка сигналов» О Т Ч Е Т По лабораторной работе № 2 «Исследование параметров и характеристик типовых усилительных каскадов на биполярном

    Рейтинг:
    Слов: 1,112  •  Страниц: 5
  • Исследование параметров симр и ультротонких пленок меди

    Исследование параметров симр и ультротонких пленок меди

    ВВЕДЕНИЕ Работа посвящена экспериментальному поиску и теоретическому обоснованию путей управления свойствами ультратонких пленок меди, наносимых методом сильноточного импульсного магнетронного распыления. Известно, что свойства пленок металлов толщиной менее 10 нм кардинально отличаются от свойств объемного материала. Это объясняется увеличением влияния механизма нуклеации пленки на ее итоговые характеристики. Медь является ярким представителем

    Рейтинг:
    Слов: 6,961  •  Страниц: 28
  • Исследование паропроницаемости в пакете материалов

    Исследование паропроницаемости в пакете материалов

    СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ……………………………………………………………………………3 1. Исследование паропроницаемости…………………………………………..........4 ЗАКЛЮЧЕНИЕ…………………………………………………………………..........8 СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ……………………........……………………………………………...9 ВВЕДЕНИЕ Человеческий организм в процессе жизнедеятельности непрерывно выделяет на поверхность кожи влагу в виде пота. Водяные пары с поверхности кожи сорбируются пакетом одежды, снижая ее тепловое сопротивление. Поэтому одним из основных гигиенических требований к одежде и обуви материалов является обеспечение необходимой

    Рейтинг:
    Слов: 950  •  Страниц: 4
  • Исследование пассивного четырехполюсника

    Исследование пассивного четырехполюсника

    Министерство образования Республики Беларусь Учреждение образования «Белорусский Государственный Университет Информатики и Радиоэлектроники» Кафедра теоретических основ электротехники Лабораторная работа №14 Вариант №4 «Исследование пассивного четырехполюсника» Выполнил: Студент гр. №821901 Проверил: Батюков С.В. Игнатович Н.П. Минск 2020 Цель работы Экспериментальное определение коэффициентов пассивного несимметричного четырехполюсника в форме А, исследование фазочастотной и амплитудно-частотной

    Рейтинг:
    Слов: 266  •  Страниц: 2
  • Исследование пассивного четырехполюсника

    Исследование пассивного четырехполюсника

    Министерство образования Республики Беларусь Учреждение образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники» Кафедра теоретических основ электротехники Лабораторная работа №14 Вариант №1 «Исследование пассивного четырехполюсника» Выполнили: Проверил: ст. гр. 140401 Свито И.Л. Орехов И.А. Троянов А.А. Прокопович И.А. Сидляревич А.С. Минск 2023 ________________ Цель работы: экспериментальное и теоретическое определение параметров пассивного

    Рейтинг:
    Слов: 304  •  Страниц: 2
  • Исследование пассивных симметричных четырёхполюсников

    Исследование пассивных симметричных четырёхполюсников

    Некоммерческое акционерное общество «АЛМАТИНСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ЭНЕРГЕТИКИ И СВЯЗИ» Кафедра «Электротехники» ОТЧЕТ по лабораторной работе №1 По дисциплине Цепи с распределенными и сосредоточенными параметрами На тему «Исследование пассивных симметричных четырёхполюсников» Специальность «5В070200 – Автоматизация и управление» . Выполнил Измайалова С.К. . (Ф.И.О.) Группа АУ-17-4 Приняла ст.преп. Креслина С.Ю. (ученая степень, звание,

    Рейтинг:
    Слов: 1,388  •  Страниц: 6
  • Исследование пассивных цепей при гармоническом воздействии на постоянной частоте

    Исследование пассивных цепей при гармоническом воздействии на постоянной частоте

    Лабораторная работа № 32 Исследование пассивных цепей при гармоническом воздействии на постоянной частоте Цель работы: С помощью программы Micro-Cap исследовать электрический режим конденсатора и катушки индуктивности в цепях гармонического тока. Сравнить полученные характеристики с помощью программы Micro-Cap, с аналогичными характеристиками, полученными расчетным путем. Предварительный расчет Произведем предварительный расчет и занесем

    Рейтинг:
    Слов: 495  •  Страниц: 2
  • Исследование переходного процесса в линейной цепи с одним накопителем энергии

    Исследование переходного процесса в линейной цепи с одним накопителем энергии

    МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «ТЮМЕНСКИЙ ИНДУСТРИАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ» Институт промышленных технологий и инжиниринга Кафедра электроэнергетики Лабораторная работа №1 по дисциплине «Специальные разделы электротехники» на тему «Исследование переходного процесса в линейной цепи с одним накопителем энергии» Выполнил: обуч. гр. АТПб(до)з-19-2 (ИДДО) Краснов

    Рейтинг:
    Слов: 481  •  Страниц: 2
  • Исследование переходных и частотных характеристик типовых звеньев

    Исследование переходных и частотных характеристик типовых звеньев

    Министерство науки и высшего образования Российской Федерации Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования Южно-Уральский государственный университет Высшая школа электроники и компьютерных наук Кафедра «Системы автоматического управления» ОТЧЕТ по лабораторной работе № 1 по теме «Исследование переходных и частотных характеристик типовых звеньев» по дисциплине «Теория автоматического управления» Вариант 9 Проверил

    Рейтинг:
    Слов: 868  •  Страниц: 4
  • Исследование переходных процессов RC цепи

    Исследование переходных процессов RC цепи

    Лабораторная работа Тема работы: Исследование переходных процессов RC цепи Цель работы: получение переходных характеристик в цепи с резистором и конденсатором. Определение неизвестных параметров цепи (сопротивление, емкости). Теоретическая часть Конденсатором называют систему, состоящую из двух изолированных проводников, пространство между которыми может быть заполнено диэлектриком. Эти проводники называют обкладками конденсатора. В зависимости

    Рейтинг:
    Слов: 998  •  Страниц: 4
  • Исследование переходных процессов в цепях первого и второго порядков

    Исследование переходных процессов в цепях первого и второго порядков

    Министерство образования и науки Российской Федерации ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР) Кафедра телекоммуникаций и основ радиотехники (ТОР) ОТЧЕТ По лабораторной работе по дисциплине «Основы теории цепей» ИССЛЕДОВАНИЕ ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ В ЦЕПЯХ ПЕРВОГО И ВТОРОГО ПОРЯДКОВ Выполнил _______________ Проверил ____________________ 2022 ________________ 1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ 1.1. Освоение основных

    Рейтинг:
    Слов: 530  •  Страниц: 3
  • Исследование переходных процессов при разряде конденсатора на резистор и индуктивную катушку

    Исследование переходных процессов при разряде конденсатора на резистор и индуктивную катушку

    Министерство науки и высшего образования Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Уфимский государственный авиационный технический университет Кафедра ЭлИ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №10 «ИССЛЕДОВАНИЕ ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ ПРИ РАЗРЯДЕ КОНДЕНСАТОРА НА РЕЗИСТОР И ИНДУКТИВНУЮ КАТУШКУ» Выполнила: студентка 2 курса группы ЭЭ-201Б Низамова Н.Р. Проверила: доцент кафедры Мельничук О.В. Уфа 2022г.

    Рейтинг:
    Слов: 1,487  •  Страниц: 6
  • Исследование периодического метода культивирования. Влияние состава питательных сред на рост микроорганизмов

    Исследование периодического метода культивирования. Влияние состава питательных сред на рост микроорганизмов

    Министерство образования и науки Российской Федерации ФГАОУ ВО «Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина» Химико-технологический институт Кафедра технологии органического синтеза ОТЧЕТ № 1 «Исследование периодического метода культивирования. Влияние состава питательных сред на рост микроорганизмов» Студент: Н.А. Мартынов гр. Х-440007 Преподаватель: В. С. Берсенева доцент, к.х.н. Екатеринбург 2017

    Рейтинг:
    Слов: 3,713  •  Страниц: 15
  • Исследование перспективных методов передачи и защиты информации Квантовая криптография

    Исследование перспективных методов передачи и защиты информации Квантовая криптография

    Дипломная работа Исследование перспективных методов передачи и защиты информации Квантовая криптография. Оглавление: 1. Введение 1. Основная часть История возникновения Квантовой криптографии. Основы квантовой криптографии Реализация идеи квантовой криптографии Протоколы квантовой криптографии Прямой обмен ключами между пользователями Природа секретности квантового канала связи Квантовый протокол ВВ84 Квантовый протокол В92 Протокол с шестью

    Рейтинг:
    Слов: 6,239  •  Страниц: 25
  • Исследование плоского рычажного механизма и синтез эвольвентного зубчатого зацепления

    Исследование плоского рычажного механизма и синтез эвольвентного зубчатого зацепления

    1. 2. ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО МОРСКОГО И РЕЧНОГО ТРАНСПОРТА 3. Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение 4. высшего образования 5. "Волжский государственный университет водного транспорта" Кафедра "Подъемно-транспортных машин и машиноремонта" Исследование плоского рычажного механизма и синтез эвольвентного зубчатого зацепления ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА к курсовой работе по теории механизмов и машин Руководитель: ______________Гордлеева И.Ю.

    Рейтинг:
    Слов: 3,550  •  Страниц: 15
  • Исследование поверхностного эффекта и эффекта близости

    Исследование поверхностного эффекта и эффекта близости

    Министерство науки и высшего образования Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Пермский национальный исследовательский политехнический университет» Электротехнический факультет Кафедра «Конструирование и технологии в электротехнике» Лабораторная работа № 6 по дисциплине «Теоретические основы электротехники» на тему: исследование поверхностного эффекта и эффекта близости Выполнили студенты гр. _ . __

    Рейтинг:
    Слов: 552  •  Страниц: 3
  • Исследование полевого транзистора

    Исследование полевого транзистора

    Министерство науки и высшего образования Российской Федерации Федерального государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР) Кафедра комплексной информационной безопасности электронно- вычислительных систем (КИБЭВС) ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА Отчет по практической работе №4 по дисциплине «Электроника и схемотехника» Выполнил Студент гр. ___________ _______.11.2019 Принял Преподаватель

    Рейтинг:
    Слов: 648  •  Страниц: 3
  • Исследование полевого транзистора с управляющим p-n переходом в схеме с общим истоком

    Исследование полевого транзистора с управляющим p-n переходом в схеме с общим истоком

    ОТЧЁТ О ПРАКТИЧЕСКОМ ЗАНЯТИИ №5 Тема: Исследование полевого транзистора с управляющим p-n переходом в схеме с общим истоком (ОИ) Цель: Изучить режимы работы полупроводниковых приборов, на основе биполярных транзисторов Вариант 11 Ход работы Задание. Составить схемы подключения полевого транзистора с общим стоком (ОС), истоком (ОИ) и затвором (ОЗ). Построить входные

    Рейтинг:
    Слов: 654  •  Страниц: 3
  • Исследование полупроводникового диода

    Исследование полупроводникового диода

    Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кафедра комплексной информационной безопасности электронно-вычислительных систем (КИБЭВС) ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Практическая работа №2. Выполнил Принял ________ _______ ________________ 1 Введение 1.1 Цель работы 1. Построение обратной ветви вольтамперной характеристики стабилитрона и определение напряжения стабилизации. 2. Вычисление

    Рейтинг:
    Слов: 1,290  •  Страниц: 6
  • Исследование полупроводникового диода

    Исследование полупроводникового диода

    Лабораторная работа №1. Исследование полупроводникового диода. 1. ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ ИССЛЕДОВАНИЯ. 1. Ознакомиться с устройством и принципом работы полупроводниковых диодов. 2. Приобрести практические навыки в снятии вольтамперной характеристики кремневого и германиевого диодов. 3. Определить статическое и дифференциальное сопротивления исследуемых диодов. 2. КРАТКАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ОБЪЕКТА ИССЛЕДОВАНИЯ. Широко распространённым элементом электрических цепей

    Рейтинг:
    Слов: 3,592  •  Страниц: 15
  • Исследование полупроводникового диода

    Исследование полупроводникового диода

    Лабораторная работа №1 Исследование полупроводникового диода Выполнил студент группы б-МХРТ-21 Елисеева Алина Цель работы 1. Изучить принцип действия и характеристики полупроводниковых диодов. 2. Приобрести практические навыки по экспериментальному определению характеристик и параметров полупроводниковых диодов. 4. Экспериментально подтвердить теоретические знания, полученные на лекциях и самостоятельных занятиях по полупроводниковым диодам. Лабораторная работа

    Рейтинг:
    Слов: 281  •  Страниц: 2
  • Исследование полупроводникового стабилитрона

    Исследование полупроводникового стабилитрона

    Министерство высшего образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР) Кафедра комплексной информационной безопасности электронно-вычислительных систем (КИБЭВС) ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО СТАБИЛИТРОНА Отчёт по практической работе №2 По дисциплине «Электроника и схемотехника» Студент __________А.Е. Иванов Руководитель: Преподаватель кафедры БИС ______

    Рейтинг:
    Слов: 747  •  Страниц: 3

Перейти на страницу
Поиск
Расширенный поиск