Расчёт автоколебательного мультивибратора с симметричными коллекторно-базовыми связями
Автор: qwertynstu • Декабрь 13, 2022 • Лабораторная работа • 629 Слов (3 Страниц) • 257 Просмотры
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ
ФЕДЕРАЦИИ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ
ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ
ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ
«НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ
УНИВЕРСИТЕТ»
__________________________________________________________________
Факультет автоматики и вычислительной техники
Кафедра вычислительной техники
[pic 1]
ОТЧЁТ
по Расчётно-графической работе
по дисциплине: «Схемотехника»
По теме «Расчёт автоколебательного мультивибратора с симметричными коллекторно-базовыми связями»
Вариант №6
Выполнила: Проверил:
Студентка гр. АВТ-917 к.т.н. Гришанов Е.В.
Ильина С.И. «___» _________ 2021г.
«__» ______ 2021г. _________________
(подпись)
Отметка: 19 б.
Новосибирск
2021
Цель работы:
Изучение свойств автоколебательный мультивибратора с симметричными коллекторно-базовыми связями. Расчёт параметров симметричного мультивибратора. Построение осциллограмм напряжения и тока.
Задание:
Рассчитать параметры резисторов R1, R2, R3 и R4, конденсаторов C1 и C2. Определить ток коллектора VT1. Построить осциллограммы напряжения в точке «1» относительно земли и ток коллектора транзистора VT1. Тип схемы: Автоколебательный мультивибратор с симметричными коллекторно-базовыми связями (Рис. 1).
[pic 2]
Рис 1. Автоколебательный мультивибратор с симметричными коллекторно-базовыми связями
Дано:
Таблица 1- Данные по варианту
Тип транзистора | MMBT3904 |
Напряжение питания ЕП, В | 12 |
Частота колебаний, Гц | 100000 |
Коэффициент заполнения, D | 0.9 |
Коэффициент передачи по току β | 150 |
Степень насыщения S | 2.2 |
Принять:
Таблица 2- Данные, которые необходимо принять по варианту
Максимальная мощность, рассеваемая транзистором, Вт [pic 3] | 0.25 |
Напряжение коллектор-эмиттер насыщения , В[pic 4] | 0.2 |
Мощность, рассеваемая транзистором в открытом состоянии, от максимальной [pic 5] | 0.008 |
Пренебречь: температурными и частотными изменениями в токах транзисторов и
...