Essays.club - Получите бесплатные рефераты, курсовые работы и научные статьи
Поиск

Дослідження біполярного транзистора

Автор:   •  Февраль 24, 2025  •  Лабораторная работа  •  1,045 Слов (5 Страниц)  •  188 Просмотры

Страница 1 из 5

Карпушкiн Дмитро КІ 2206

ЛАБОРАТОРНЕ ЗАНЯТТЯ №6

Тема: Дослідження біполярного транзистора

Мета: вивчення особливостей роботи біполярного транзистора, увімкнутого за схемою зі спільним емітером; побудова статичних ВАХ та визначення його основних параметрів (коефіцієнтів підсилення за струмом, за напругою та потужністю, вхідного та вихідного опорів)

Обладнання: ПЕОМ, програмний комплекс Multisim

ХІД РОБОТИ

  1. Запустити  програмне середовище MS.  Відкрити файл lab_03,  або зібрати на робочому полі середовища MS схему для дослідження біполярного транзистора (рисунок 3).

[pic 1]

Рисунок 3 – Схема дослідження біполярного транзистора

  1. Зняти вхідні статичні характеристики біполярного транзистора  при . Отримані результати занести до таблиці 1. Вхідні статичні характеристики транзистора знімають для двох значень напруги  . Напругу між базою та емітером змінюють потенціометром R2 (клавіша W).[pic 2][pic 3][pic 4]

Таблиця 1 – Вхідні статичні характеристики біполярного транзистора

W (%)

UКЕ = 0 В (Q=100 %)

UКЕ = 5 В (Q=20%)

UБЕ , В

ІБ , мА

UБЕ , В

ІБ , мА

0

0

0

0

100

0.782

0.421

0,804

0,420

80

0.784

0.527

0.811

0.524

60

0.788

0.702

0.820

0.697

40

0.795

1.052

0.834

1.042

20

0.813

2.103

0.862

2.069

15

0.824

2.771

0.876

2.749

10

0.845

4.156

0.900

4.100

5

0.899

8.202

0.957

8.086

4

0.923

10

0.982

10

3

0.962

13

1.022

13

2

1.036

20

1.094

20

1

1.231

38

1.287

37

  1. Зняти вихідні статичні характеристики біполярного транзистора  при . Отримані результати занести до таблиці 2. Вихідні статичні характеристики знімають для трьох значень струму бази, що встановлюють потенціометром R2 та підтримують у процесі спостережень незмінними. Напругу    змінюють, потенціометром R1 (клавіша Q).[pic 5][pic 6][pic 7]

Таблиця 2 – Вихідні статичні характеристики біполярного транзистора

ІБ = 500, мкА (W=84%)

ІБ = 1000 , мкА W=(41%)

ІБ = 2000 , мкА (W=21%)

Q, %

UКЕ , В

ІК , мА

Q, %

UКЕ , В

ІК , мА

Q, %

UКЕ , В

ІК , мА

0

0

0

0

0

0

100

0.088

12

100

0.070

12

100

0.058

12

60

0.133

20

60

0.105

20

75

0.073

16

50

0.158

24

35

0.166

34

50

0.104

24

45

0.179

26

30

0.193

39

25

0.192

47

40

0.218

29

25

0.239

47

15

0.331

78

37

0.407

31

22

0.376

53

14

0.418

83

34

1.001

32

21

0.697

54

13

0.915

85

32

1.419

33

20

1.038

55

12

1.467

88

30

1.856

34

19

1.391

56

11

2.053

90

15

5.892

41

10

5.287

67

10

2.674

93

0

12

51

0

12

87

0

12

136

...

Скачать:   txt (8.8 Kb)   pdf (1.9 Mb)   docx (2.5 Mb)  
Продолжить читать еще 4 страниц(ы) »
Доступно только на Essays.club