Дослідження транзистора в схемі зі спільною базою

[pic 1]

Лабораторна робота № 3

Дослідження транзистора в схемі зі спільною базою

         Мета: Дослідити залежність струмів транзистора (Іе,  Ік) від напруг(Uе, Uк), побудувати статичні характеристики транзистора в схемі зі спільною базою

та  визначати за  ними  основні параметри транзистора.

         Завдання: Зняти вхідні та вихідні статичні характеристики транзистора та  визначить параметри h11б, h12б, h21б, h22б. Одержані результати порівняти з номінальними даними і зробити висновки про якість  транзистора.

        Література:

1.  Гершунский Б.С. Основы электроники и микроэлектроники. -К.:  Вища школа. 1987г.
2. Бушок  Г.Ф. Курс фізики т.2.- К.: Либідь, 2001г.

     3. Овечкин Ю.А. Полупроводниковые приборы.- М.: Высшая школа, 1986г.

     4. Лавриненко В.Ю.  Справочник по полупроводниковым приборам.-К.:    Техніка, 1977г.

Необхідна апаратура та обладнання

1.  Джерело живлення Б5-47

2.  Макет

                Вимоги  охорони праці  при проведенні лабораторної роботи

1.   До проведення лабораторних робіт допускаються студенти, які пройшли інструктаж з охорони праці в лабораторії .

2.   При виконанні лабораторних робіт дозволено користуватися обладнанням , вказаним в інструкції.

3.   Прилади , які живляться від електричної мережі, необхідно обов'язково заземлити.

4.   З метою безпеки на одному робочому місці не повинно знаходитись більше 3-х студентів.

5.   Забороняється доторкатися до провідників без ізоляції, підключених до електричної мережі.

6.   На лабораторних роботах потрібно додержуватись суворої дисципліни , лабораторні роботи виконувати згідно інструкції.

7.   В разі порушення студентом правил охорони праці , студент звільняється від виконання лабораторних робіт з наступним відпрацюванням.

                             Теоретичні положення

     В схемі зі спільною базою (СБ) вхідним стумом є струм емітера Іе, а вихідним струмом є струм колектора Ік, отже коефіціент  передачі струму в схемі зі СБ Kі=Ік/Іе, він приймає числові значення 0,95 – 0,98, отже схема зі СБ не підсилює струм. Аналогічно можна записати, що коефіцієнт підсилення напруги

      Кu=Uк/Uе >1, коефіціент підсилення потужності Кр = Рк/Ре >1, тобто схема зі СБ підсилює напругу та потужність. Схема зі СБ має найкращі частотні   властивості. Це значить, що вона зберігає свої підсилювальні властивості в найбільш широкому частотному діапазоні порівняно з  іншими схемами включення транзисторів.

Методика та порядок виконання роботи

1. Ознайомитись з обладнанням робочого місця, визначити ціну поділки шкали на кожному приладі.

[pic 2][pic 3][pic 4]

[pic 5][pic 6][pic 7][pic 8][pic 9][pic 10]

  Рис.1. Схема електрична макета для дослідження транзистора зі спільною базою

 2.  Встановити всі потенціометри на макеті в положення  відповідні мінімальним напругам  на   емітері та колекторі транзистора.

1. Зняти сімейство вхідних статичних  характеристик транзистора  для двох значень напруги  Uк (Uк1=0 В, Uк2=6 В).

                  Іе = f(Uе) при U к - const  

Результати занести в таблицю 1

   Таблиця 1

1.  Зняти сімейство  вихідних статичних характеристик транзистора для трьох значень струму Іе. (Іе1=3 мА; Іе2=6мА; Іе3=9  мА)

                    Iк = f (Uк)  при Іе- const