Дослідження біполярного транзистора

Практична робота №3

Тема: Дослідження біполярного транзистора

Мета: 1. Вивчити будову та принцип дії транзистора.2. Зняти вхідні та вихідні вольт-амперні характеристики транзистора.

Хід роботи:

1 Зняла вхідні вольт-амперні характеристики. Відкрила файл – вхідні характеристики транзистора (рис. 1). Підключила схему (для чого на файлі натиснула кнопку 1 у верхньому правому куті). IБ=f(UБЕ) при UКЕ=const.

1.1 Послідовно встановлюючи значення ЕРС джерела живлення бази рівними 0В, 0.75В, 1.12В, 1.27В, 1.5В записала значення струму бази та напруги база-емітер у таблицю 1 при ЕРС колектору рівному 0.

Рисунок 1 – Сх1ема дослідження вхідних характеристик транзистора.

1.2 Послідовно встановлюючи значення ЕРС джерела живлення бази рівними 0В, 0.9В, 1.2В, 1.4В, 2В записала значення струму бази та напруги база-емітер у таблицю 1 при ЕРС колектору рівному 10В.

Таблиця 1

UКЕ=0 В UКЕ=10 В UКЕ=5 В

ЕРС бази UБЕ IБ ЕРС бази UБЕ IБ ЕРС бази UБЕ IБ

0 В 0 0 0 В 0 0 0 0,114 0

0.75 В 581 1,690 0.9 В 689,5 2,105 0,8 669 1,31

1.12 В 616,8

5,032 1.2 В 717,1 4,829 1,16 714,7 4,453

1.27 В 624 6,460 1.4 В 726,9 6,731 1,33 723,9 6,061

1.5 В 632,3 8,667 2 В 744,4 12,56 1,75 738, 10,12

1.3 Побудувала вхідні вольт-амперні характеристики транзистора.

Рисунок 2 - Графік залежності струму бази від напруги база-емітер.

2. Зняла вихідні характеристики транзистора IК=f(UКЕ) при IБ=const. Знімають для двох значень струму бази, IБ=100 мкА, та IБ=500 мкА. Для цього замінила ЕРС джерела постійної напруги бази на джерело постійного струму.

Рисунок 3 – Схема дослідження вихідних характеристик транзистора.

2.1 Послідовно встановлюючи ЕРС джерела живлення колектора рівним 0.05 В, 0.07 В, 0.1 В, 0.2 В, 0.3 В, 1 В, 2 В при значені струму бази рівному 100 мкА зняла показання та записала у таблицю 2.

2.2 Послідовно встановлюючи ЕРС джерела живлення колектора рівним 0.05 В, 0.07 В, 0.1 В, 0.2 В, 0.3 В, 1 В, 2 В при значені струму бази рівному 500