Essays.club - Получите бесплатные рефераты, курсовые работы и научные статьи
Поиск

Жұқа қабыршақтарды қондыру әдістері

Автор:   •  Май 13, 2018  •  Лекция  •  836 Слов (4 Страниц)  •  665 Просмотры

Страница 1 из 4

9. Жұқа қабыршақтарды қондыру үшін қандай әдістер қолданылады?

Жұқа пленкалар қазіргі кезде беріктілік, шағылыстырғыш, өткізгіштік және диэлектрлік беттерде жиі қолданылады. Сонымен қоса осы материалдарды микроэлектронды және наноэлектронды өндірісте жаңа өнімдер шығару үшін де қолданады.

Жұқа қабықшалы бетті қондыру әдістері:

Әдіс атауы

Әдісті реализациялау шарттары

Беттік жабылудың (покрытие) негізгі түрлері

Әдістің артықшылығы

Әдістің кемшілігі

  1. Термовакуумдық буландыру

Жұмыс ортасы: вакуум 10-2...10-3 Па.

Резистивті қыздыру арқылы металды буландыру

 Металдық беттер: Al, Ag, Cu, Zn, Cd, Cr, Ni, Co, Si

Қондыру жылдамдығы жоғары. Қалың бет алу мүмкіндігі

Беттік құрылымның тығыздығы аз. Механикалық қасиеттері жоғары емес.

  1. Электронды-сәулелі буландыру

Вакуум 10-4...10-3 Па

Реактивті газдар N2, O2, CH4.

Қосымша ионизацияланған электронды шоғыр(пучок) арқылы металдарды буландыру

Металдық беттер: Al, Ag, Cu, Ti, Cr, Ni, Co, Si.

Керамикалық беттер: TiN, ZrN, TiC, ZrC, TiCN, ZrCN, Al2O3, TiO2, SiO2, ZrO2, ZrO2/Y2O3.

Қондыру жылдамдығы жоғары. Қалың бет алу мүмкіндігі(200 мкмге дейін).

Беттердің тазалығы жоғары(қоспа аз).

Беттің қалыңдығын тегістеу қиын.

  1. Лазерлі буландыру

Вакуум 10-5...10-3 Па.

Ұзақтығы мкс-тан фс-қа дейін болатын құрамы әртірлі лазерлі импульс арқылы металды буландыру

Микроэлектроникаға арналған беттер: Sb2S3, As2S3, SrTiO3, BaTiO3, GaAs.

Алмазтәріздес беттер (DLC) – жоғары сипаттамаға ие.

Күрделі қосылған беттерді алу.

Беттердің тазалығы жоғары(қоспа аз).

Реализациясы қиын.

  1. Вакуумды-доғалық буландыру

Вакуум 10-3...10-2 Па.

Реактив газдар N2, O2, CH4;

Р = 0.01...1 Па.

T = 300...600 ⁰С.

Доғалық түрде болатын катодтық дақ арқылы металлдарды буландыру. Жоғары дәрежелі иондық әсер етумен беттік қабатты қондыру.

Металдық беттер: Ti, Zr, Hf, Cr, Ta, Ni, Co,Si, MCrAlY (M=Ni, Co).

Керамикалық беттер: TiN, ZrN, CrN, TiC, TiCN, ZrCN, TiAlN, AlCrN, TiO2, ZrO2.

Нанокомпозиты: TiAlN/Si3N4, AlCrN/Si3N4.

Покрытия DLC

Қондыру жылдамдығы жоғары. Техникалық реализациясы қарапайым. Беттік қабатты жақпас бұрын өнімді эффективті  түрде ионды тазалау. Керамикалық беттердің қасиеттері жоғары.

Беттік қондыру үшін жоғары температура қажет.

  1. Магнетронды тозаңдату(распыление)

Жұмыс ортасы: таза газдар Ar, N2, O2, CH4.

Р = 0,05– 1 Па,

Т = 60...6000°С

Магнетронды разрядта металлдарды ионды тозаңдату

Металдық беттердің барлық спектрі: Al, Ag, Au,Cu, Zn, Sn, Cd Ti, Zr, Hf, Cr, Ta, Ni, Co, Si, MCrAlY (M=Ni, Co) и др.

Керамикалық беттер: TiN, ZrN, CrN, TiC, TiCN, ZrОN, TiAlN, AlCrN, TiBN CrAlTiYN, TiO2, ZrO2, Al2O3, SiO2.

Нанокомпозиты:

3D: TiAlN/Si3N4, TiN/BN, AlCrN/Si3N4, ZrN/Cu, ZrO2/Al2O3.

2D: TiN/NbN, TiN/CrN, TiN/AlN, CrN/AlN, TiN/CN.

Покрытия DLC

Металдық және керамикалық беттердің тығыз микро-(нано-) кристаллдық құрылымы. Төмен температурада да термосезімтал материалдарға да беттік жағу мүмкіндігі.

Қондыру жылдамдығы жоғары. Металдық және керамикалық беттердің қасиеттері жоғары.

Әдісті техникалық реализациялау күрделі. Құрылғы бағасы қымбат.

12. Катодтық және магнетронды шашырату арасындағы айырмашылық?

25. Катодтық шашырату қалай жасалынады?

26. Магнетронды тозаңдату арқылы жұқа қабыршақтарды қондыру әдісі?

Катодтық шашырату

[pic 1]

Оң иондар әсерінен Газдалған разрядта теріс электрод (катод) –тың бұзылуы. Кең мағынасында – зарядталған немесе нейтралды бөлшектермен қатты затты атқылау арқылы бұзу.

...

Скачать:   txt (12.5 Kb)   pdf (195.3 Kb)   docx (30.4 Kb)  
Продолжить читать еще 3 страниц(ы) »
Доступно только на Essays.club