Дослідження напівпровідникового діода

ЛАБОРАТОРНА РОБОТА 10

Виконав студент групи АІ-3-21

Сироп’ятов Захар

Тема: Дослідження напівпровідникового діода

Мета роботи: Поглиблення знань студентів при вивченні розділу "Напівпровідники. Напівпровідникові діоди. Біполярні транзистори".

У процесі виконання роботи студенти повинні:

•  уміти скласти схему моделювання діода в середовищі Electronics WorkBench;
•  уміти збудувати вольт-амперну характеристику діода;
•  уміти розрахувати динамічний опір діода при прямому включенні;
•  уміти досліджувати напівпровідникові елементи на ЕОМ.

Вихідні дані:

Вихідні дані для виконання роботи:

• структурна схема та числові  параметри досліджуваного трифазного трансформатора (рис.10, табл.10.1).

• пакети прикладних програм (ППП) Electronics WorkBench і MathCAD для дослідження електричних об’єктів і систем.

Рисунок 10.1 – Включення діода

а) пряме включення

б) зворотне включення

Вихідні дані

Приклад 10.1. Визначити вольт-амперну характеристику діода D1N3612GP і розрахувати його динамічний опір при прямому включенні. Опір навантаження 500 Ом. Експериментальні дослідження провести в середовищі Elektronics WorkBench.

Розв’язання. Складемо електронну схему з прямим включенням діода в середовищі Elektronics WorkBench (рис. 10.4).

[pic 9]

Рисунок 10.4 – Схема для дослідження прямої вітки вольт-амперної характеристики діода в ППП Electronics WorkBench

Будемо змінювати ЕРС джерела живлення і фіксувати падіння напруги на діоді та струм, який проходить через діод. Результати експерименту подані в табл. 10.2. Динамічний опір розраховано за формулою:

[pic 10]

Результати обчислювального експерименту

 Таблиця 10.2