Essays.club - Получите бесплатные рефераты, курсовые работы и научные статьи
Поиск

Өріс транзисторлық ЗЕРТТЕУ

Автор:   •  Октябрь 16, 2023  •  Практическая работа  •  719 Слов (3 Страниц)  •  83 Просмотры

Страница 1 из 3

Қазақстан Республикасы ғылым және жоғары білім министрлігі

Коммерциялық емес акционерлік қоғам

Ғ.Ж.ДӘУКЕЕВ АТЫНДАҒЫ

«АЛМАТЫ ЭНЕРГЕТИКА ЖӘНЕ БАЙЛАНЫС УНИВЕРСИТЕТІ»

Коммуникация және ғарыштық инженерия институты

Телекоммуникациялық инженерия кафедрасы

№3 Зертханалық жұмыс

Пән бойынша: Интелектуалды деректерді беру жүйелеріндегі химиялық технологиялар

Білім бағдарламасы:  6B06201 – «Радиотехника, электроника және телекоммуникациялар» мамандығы

Тақырыбы: «Өріс транзисторлық ЗЕРТТЕУ»

Орындаған: Исаев М   Тобы: РЭТк-21-5

                                                        (аты - жөні)

Тексерген:  доцент,  Ермекбаев Муратбек Мадалиевич.

                                               (ғылыми дәрежесі, атағы, аты - жөні)

 ______________   ______________ «______»____________.

                                 (бағасы)                       (қолы)

Алматы, 2023ж

№3 ЗЕРТХАНАЛЫҚ ЖҰМЫС

«ӨРІС ТРАНСИСТОРЛЫҚ ЗЕРТТЕУ»

Жұмыс мақсаты

1. Өрістік транзисторлардың жұмыс ерекшеліктерін зерттеу.

2. Транзисторлардың статикалық сипаттамаларының құрылысы.

Сурет 3.5. Басқару p-n өтуі бар өрістік транзистордың ток кернеуінің сипаттамаларын зерттеуге арналған схема.[pic 1]

Жұмысты орындау тәртібі

1. Қор сипаттамаларын жою

а) Файлды ашыңыз (3.5-сурет) және схеманы қосыңыз.

[pic 2]

 p-n өткелі және n типті арнасы бар өрістік транзистордың дренаждық сипаттамаларын алайық: Ic = f(Uси), Uзи = const. Бастапқыда Uзи = 0 орнатыңыз, содан кейін өрістік транзистордың ағызу сипаттамаларын Uзи екі басқа мәндерімен алып тастаңыз.

Uзи = 0    Ic = 0          Uси=0

Uзи = 2    Ic = 987.9   Uси=2

Uзи = 4    Ic = 2.960   Uси=4

б) Алынған мәліметтерге сәйкес өрістік транзистордың ағызу (шығыс) сипаттамаларын сызыңыз.

[pic 3]

2. Су төгетін қақпаның сипаттамасын алу

а) Файлды ашыңыз (3.5-сурет) және схеманы қосыңыз. Өріс транзисторының дренаждық сипаттамаларын алып тастаңыз: Ic = f(Uси), Uзи = const. Uси = 10 В орнатыңыз және Uzi және Ic үшін осы мәндегі аспап көрсеткіштерін алыңыз.

U = 10    Ic = -3,610          Uзи=10

б) Алынған мәліметтерге сәйкес өрістік транзистордың дренаждық сипаттамаларын сызыңыз.

...

Скачать:   txt (7.8 Kb)   pdf (518.3 Kb)   docx (979.1 Kb)  
Продолжить читать еще 2 страниц(ы) »
Доступно только на Essays.club