Essays.club - Получите бесплатные рефераты, курсовые работы и научные статьи
Поиск

Исследование характеристик и параметров полупроводниковых диодов

Автор:   •  Ноябрь 12, 2019  •  Лабораторная работа  •  781 Слов (4 Страниц)  •  419 Просмотры

Страница 1 из 4

Московский Ордена Ленина, Ордена Октябрьской Революции и

Ордена Трудового Красного Знамени

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им.

Н.Э.БАУМАНА

 

[pic 1]

 

 

 

 

 

 

 

 

Факультет «Радиоэлектроника и лазерная техника»

Дисциплина «Электроника»

 

Лабораторный практикум №1

по теме: «Исследование характеристик и

параметров полупроводниковых диодов»

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Москва, 2018 г

Оглавление

Цель работы

1.        Получение экспериментальных данных на удалённом стенде        5

2.        Построение ВАХ в программе MathCAD        6

3.        Расчёт статических параметров в программе MODEL        8

4.        Внесение модели в Microcap        9

5.        Проверка модели        10

6.        Определение динамических характеристик        12

7.        Добавление динамических характеристик в модель        14

8.        Внесение модели в Micro-Cap и измерение резонансной частоты колебательного контура.        15

Вывод

        

Цель работы

Понять, как устроены характеристики и параметры полупроводниковых диодов, научиться создавать модели полупроводниковых диодов с помощью различных источников информации о диоде, разобраться в использовании базовых возможностей программ Micro-Cap и Mathcad, и научится работать в удаленном лабораторном стенде, основанном на работе с лабораторным комплексом ELVIS II.

Сокращения терминов, аббревиатуры:

Диод- полупроводниковый диод

ВАХ – вольт-амперная характеристика

 [pic 2]

Описание характеристик полупроводникового диода:

[pic 3]

  1. Получение экспериментальных данных на удалённом стенде

Произвели снятие прямой ( рис.1 ) и обратной ( рис.2 ) ветвей ВАХ на удаленном лабораторном стенде №1.

[pic 4]

Рис.1 Прямая ветвь ВАХ

[pic 5]

Рис.2 Обратная ветвь ВАХ

  1. Построение ВАХ в программе MathCAD

Передадим данные эксперимента в программу MathCad и построим ВАХ

[pic 6]

Рис.3 Данные прямой ветви ВАХ для передачи в программу MathCAD

[pic 7]

Рис.4 Прямая ветвь ВАХ в программе MathCAD

[pic 8]

Рис.5 Данные обратной ветви ВАХ для передачи в программу MathCAD

[pic 9]

Рис.6 Обратная ветвь ВАХ в программе MathCAD

  1. Расчёт статических параметров в программе MODEL

Внесём полученные экспериментальные данные в программу MODEL для определения статических параметров полупроводникового диода.

[pic 10][pic 11]

Рис.7 Расчёт статических параметров диода на первом экране программы MODEL

[pic 12] [pic 13]

Рис.8 Расчёт статических параметров диода на втором экране программы MODEL

Сформируем файл модели в формате PSPICE и сохраним его.

[pic 14]

Рис.9 Полученный файл модели диода

...

Скачать:   txt (9.1 Kb)   pdf (1.1 Mb)   docx (508.2 Kb)  
Продолжить читать еще 3 страниц(ы) »
Доступно только на Essays.club