Исследование полупроводниковых диодов

ПЕРВОЕ ВЫСШЕЕ ТЕХНИЧЕСКОЕ УЧЕБНОЕ ЗАВЕДЕНИЕ РОССИИ

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ

ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ

САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОРНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

Кафедра электроэнергетики и электромеханики

ОТЧЕТ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №2

 ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

Выполнил: студенты группы ОНГ-18-1       Легащева В.А.                           .

                                                                                  (Ф.И.О.)             (Подпись)

                                   Постников В.А.                           .

                                                                                  (Ф.И.О.)             (Подпись)

                                   Цабанов И.А.                           .

                                                                                  (Ф.И.О.)             (Подпись)

Проверил: доцент кафедры ОЭ                         Турышева А.В.                            .

              (Должность)                             (Ф.И.О.)              (Подпись)

САНКТ-ПЕТЕРБУРГ

2020

Цель работы: 

Исследование биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (рис. 1) и по схеме с общей базой (рис. 2).

Схемы установок:

[pic 2]

[pic 3]

Таблицы результатов

Таблица 1. Семейство входных и проходных характеристик транзистора по схеме с общим эмиттером

[pic 4]

[pic 5]

Таблица 2. Семейство выходных характеристик транзистора по схеме с общим эмиттером

[pic 6]

Таблица 3. Семейство входных и проходных характеристик транзистора по схеме с общей базой