Измерение статических характеристик полупроводникового диода

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Радиофизический факультет

Кафедра электроники

Отчет по лабораторной работе:

«Измерение статических характеристик полупроводникового диода»

Выполнили студенты
448 группы:

Нижний Новгород

2020 год

Цель работы:

Изучить ВАХ и ВФХ диода при комнатной температуре, ВАХ нагретого диода; найти контактную разность потенциалов перехода диода и вычислить основные параметры диода (коэффициент неидеальности n, сопротивление базы Rб, обратный ток перехода Is).

Приборы и оборудование:

Блок режимов, высокочастотный генератор.

Принципиальная схема установки:

 [pic 1]

Практическая часть:

Задание 1:

Сняли вольтамперную характеристику диода при комнатной температуре:[pic 2] [pic 3]

Прямой ток растет быстро, на некотором участке (U>0,25В) зависимость становится линейной. При обратной полярности внешнего напряжения высота потенциального барьера увеличивается, обратный ток растет плавно.

Задание 2:

Сняли вольт-фарадную характеристику диода. Устанавливая различные смещения на диоде, нашли резонансную частоту контура, образованного ёмкостью диода, паразитной ёмкостью C2 и катушкой индуктивности L для каждого значения смещения.

Uвх=0,26 В;   L=364 мкГн;   С2=37,9 пФ;

[pic 4]

[pic 5][pic 6]

Из графика видно, что при небольшом обратном напряжении емкость велика. Это связано с тем, что изменение области объёмного заряда приводит к изменению заряда в p- и n-областях.

Задание 3:

Сняли вольтамперную характеристику нагретого диода. Для этого включили режим измерения обратной характеристики, установили напряжение 20…30 В, включили тумблер «Нагрев». Дождались, пока ток диода возрастёт до 70…80 мкА, выключили нагреватель и закрыли диод с нагревателем пенопластовой коробочкой.