Исследование характеристик и параметров полупроводниковых диодов
Автор: B1ncoM Shorts • Апрель 14, 2023 • Лабораторная работа • 350 Слов (2 Страниц) • 193 Просмотры
Министерство образования и науки Российской Федерации
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение Высшего образования «Московский государственный технический университет
имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)»
(МГТУ им Н.Э. Баумана)
Факультет «Робототехника и комплексная автоматизация»
Кафедра «Системы автоматизированного проектирования»
Лабораторный практикум №2
по теме: «Исследование характеристик и параметров полупроводниковых диодов»
D2C530B
Работу выполнил:
студент группы
Работу проверил:
Оглоблин Д.И.
Москва, 2021
Цель работы - провести экспериментальное исследование поведения диода, как управляемой электрической ёмкости и по результатам исследования получить параметры барьерной ёмкости диода. В анализе использовать схему с параллельным колебательным контуром.
Пункт № 1
Для заданного диода марки D2C530B проведем моделирование лабораторного стенда для определения резонансных частот диода в программе Micro-Сap 11:
Поскольку ток- переменный анализ будет проводиться в AC. Поскольку диод низкочастотный, то резонанс происходит на частотах ниже 500000 герц.
⦁ Заполнение полей диалогового окна пределов частотного анализа
⦁ Поля Stepping:
⦁ График резонансных частот:
Частота /герц Напряжение на батарейке/ вольт
282735 0
331412 1
356913 2
372580 3
384332 4
393333 5
Пункт № 2
Построим график зависимости резонансной частоты от напряжения на батарейке в программе MathCAD:
Пункт № 3
Построим вольтфарадную характеристику:
Пункт № 4
Рассчитаем барьерную ёмкость в программе MathCAD методом Given:
Теперь сравним значения с табличными:
МГТУ им. Н.Э. Баумана
Дисциплина электроника
Лабораторный
...