Исследование полупроводникового диода
Автор: pupsya12 • Февраль 26, 2024 • Лабораторная работа • 281 Слов (2 Страниц) • 29 Просмотры
Лабораторная работа №1
Исследование полупроводникового диода
Выполнил студент группы б-МХРТ-21 Елисеева Алина
Цель работы
1. Изучить принцип действия и характеристики полупроводниковых диодов.
2. Приобрести практические навыки по экспериментальному определению характеристик и параметров полупроводниковых диодов.
4. Экспериментально подтвердить теоретические знания, полученные на лекциях и самостоятельных занятиях по полупроводниковым диодам.
Лабораторная работа выполнена в программе MicroCap 12.2.0.5
Практическая часть
1. Схема для снятия вольт-амперной характеристики диода (диод 1n4148).
[pic 1]
2. Вольт-амперная характеристика для значений температуры T=0 C ͦ T=20 C ͦ T=40 C ͦ T=60 C ͦ
[pic 2]
3. Значения динамического сопротивления при разных значениях температуры
- Temperature t =0
= = = = 1,95744681 Ом[pic 3][pic 4][pic 5][pic 6]
- Temperature t =20
= = = = 1,62745 Ом[pic 7][pic 8][pic 9][pic 10]
- Temperature t =40
= = = = 1,58 Ом[pic 11][pic 12][pic 13][pic 14]
- Temperature t =60
= = = = 1,557 Ом[pic 15][pic 16][pic 17][pic 18]
Вольт-амперная характеристика при обратном включении диода
[pic 19]
4. Значения динамического сопротивления
- Temperature t =0
= = = = 5 Гом[pic 20][pic 21][pic 22][pic 23]
- Temperature t =20
= = = = 5 Гом[pic 24][pic 25][pic 26][pic 27]
- Temperature t =40
= = = = 1.786 Гом[pic 28][pic 29][pic 30][pic 31]
- Temperature t =60
= = = = 1,721 Гом[pic 32][pic 33][pic 34][pic 35]
Вывод:
1) При прямом включении диода наблюдается малое значение динамического сопротивления, а при обратном включении диода, значение динамического сопротивления велико.
2) С ростом температуры наблюдается уменьшение значения динамического сопротивления.
...