Исследование статических характеристик и параметров полупроводниковых диодов
Автор: Soofa • Сентябрь 25, 2023 • Лабораторная работа • 491 Слов (2 Страниц) • 112 Просмотры
ФГБОУ ВО CибГУТИ
Кафедра технической электроники
Отчет
″Исследование статических характеристик и параметров
полупроводниковых диодов″
Составила студентка гр. РСС- 02 Жидких Софья ________
Дата
Работа зачтена ______________ ________
ФИО преподавателя Дата
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Исследования проводились на вставке № 1
Исследование диодов при прямом включении
[pic 1]
Рис. 1. Схема для исследования вольт-амперных характеристик диодов
при прямом включении
Таблица 1а. Диод VD1
UПР, В | 0 | 0,05 | 0,1 | 0,15 | 0,2 | ||
IПР, мА | 0 | 0,092 | 0,45 | 1,52 | 4,6 |
Таблица 1б. Диод VD2
UПР, В | 0 | 0,1 | 0,2 | 0,3 | 0,4 | 0,5 | 0,6 |
IПР, мА | 0 | 0,01 | 0,02 | 0,032 | 0,06 | 0,3 | 1,92 |
Таблица 1в. Диод VD3
UПР, В | 0 | 0,2 | 0,4 | 0,6 | 0,8 | 1 | 1,2 | 1,4 | 1,6 |
IПР, мА | 0 | 0,01 | 0,02 | 0,03 | 0,04 | 0,05 | 0,06 | 0,074 | 0,9 |
Таблица 1г. Диод VD4
UПР, В | 0 | 0,05 | 0,1 | 0,15 | 0,2 | ||
IПР, мА | 0 | 0,016 | 0,076 | 0,41 | 2,4 |
Таблица 1д. Стабилитрон VD5
UПР, В | 0 | 0,1 | 0,2 | 0,3 | 0,4 | 0,5 | 0,6 |
IПР, мА | 0 | 0,01 | 0,02 | 0,03 | 0,044 | 0,084 | 0,72 |
[pic 2]
ВАХ диодов при прямом включении:
Исследование диодов при обратном включении
[pic 3]
Рис. 2. Схема для исследования вольт-амперных характеристик диодов
при обратном включении
Таблица 2а. Диод VD1
UОБР, В | 0 | -5 | -10 | -15 | -20 |
IОБР, мкА | 0 | 0.8 | 0.82 | 0.85 | 0.9 |
Таблица 2б. Диод VD2
UОБР, В | 0 | -5 | -10 | -15 | -20 |
IОБР, мкА | 0 | 0.05 | 0.1 | 0.17 | 0.21 |
Таблица 3. Стабилитрон VD5 UСТ=... В
UОБР, В | 5 | 5.6 | 5.8 | 7 | 7 | 7 | |
IОБР, мА | 0.1 | 0.2 | 0.3 | 1.5 | 1.7 | 2 |
[pic 4]
ВАХ диодов при обратном включении:
...