Essays.club - Получите бесплатные рефераты, курсовые работы и научные статьи
Поиск

Исследование кремния во введении

Автор:   •  Июль 9, 2020  •  Реферат  •  1,760 Слов (8 Страниц)  •  268 Просмотры

Страница 1 из 8

Исследование кремния во введении

Андижанский государственный университет

Б.Туланова, А.Мирзаалимов

Аннотация: В статье утверждается, что многие исследования в области физики кремния были проведены на кремнии. В частности, были включены некоторые элементы периодической системы в кремнии и рассмотрены полученные из нее результаты, а также некоторые аспекты применения этих результатов в различных областях науки и техники.

Ключевые слова: кремний, элемент, глубокая поверхность, фотопроводимость, легированный.

Полупроводниковые приборы, оборудование и оборудование в промышленности, сельском хозяйстве, транспорте, электронике, микроэлектронике и электронике, компьютерах, преобразовании энергии (особенно в солнечной энергии), связи, информации, бытовых услугах и во всех других сферах жизни общества. - Район выполняет важные задачи.

         В нашей стране серьезные, эффективные научно-практические исследования проводятся на уровне мировой науки в области физики полупроводниковых приборов в институтах Академии наук и лабораториях университетов. Наиболее часто используемым материалом при производстве полупроводниковых приборов и систем является кремний. Анализ исследований в области физики полупроводников показывает, что многие исследования были проведены на кремнии. В этих исследованиях большинство элементов периодической системы были включены в кремний, и были получены различные результаты. В следующей таблице перечислены элементы, включенные в кремний, и результаты, которые он содержит.

  Таблица 1

Наименование элемента

Полученные результаты

Бор

Определен метод увеличения коэффициента добавок, введенных в германии и кремнии при разных температурах и на основе нагрева.

Фосфор

Когда были имплантированы ионы с высоким P +, наблюдалось влияние зоны, ограниченной кремнием. Это явление объясняется образованием новой зоны при имплантации ионов P + с толщиной донорных слоев при 0.2–0.3 эВ и присоединением к сверхпроводящей зоне.

Сера

Измерение температурной зависимости коэффициента Холла на образце серосодержащего кремния показывает, что сера кремний образует два донорных слоя. После введения серы в P-Si удельное сопротивление составляло 103-105 Ом · см при 3000 К.

Скандий

После нанесения скандия на кремний E1 = Ec- (0,5 ÷ 0,2); E2 = E2-0,27; E3 = Ec - 0,35; E4 = Ec- (0,5 ÷ 0,55); Создаются глубокие уровни с энергией ионизации E5 = Ev + 0,45 эВ.

Титан

Было обнаружено, что титан-кремний обычно производит два глубоких энергетических уровня, то есть энергию ионизации Es-0,27 эВ и Ev + 0,3 эВ.

Ванадий

В образцах ванадия энергия ионизации кремния n-типа равна трем: Ei = Ec-0,21; Ei = Ec-0,32; Ei = Ec-0,52 эВ, а образцы p-типа равны четырем Ei = Ev + 0,52; Ei = Ev + 0,42; Ei = Ev + 0,31; Показано, что Ei = Ev + образует глубокие слои с 0.26 эВ. Концентрация этих поверхностей, значения сечений пропускания фотонов и тока определены экспериментально.

Хром

Измерение температурной зависимости коэффициента Холла на хромсодержащем образце кремния показывает, что хром образует два слоя.

Марганец

Технологический режим образцов кремния на марганцевых ножках. Восстановленные параметры авто-вибрации учитывают ток большой амплитуды I = 300 мА, инфракрасную частоту f = 10-3 ÷ 10 Гц и материал 100% модуляции.

Железо

После введения железа в кремний были изучены спектр фотохимии и индуцированной фотохимии. Эти соединения создали глубокие уровни в области, ограниченной кремнием.

Кобальт

Смеси кобальта образуют более глубокие слои в кремнии. Измерение фото показывает, что слои в кремнии кобальта характерны для термической обработки. Скорость плавления кремния не влияет на глубокие уровни.

Никель

После введения никеля в n-Si удельное сопротивление составляло 103-105 Ом · см при 3000 К. Никель вводили в p-Si для измерения фотопроводимости при 770 К и 4,20 К.

Медь

Смесь меди образовала глубокие слои в кремнии.

Цинк

После введения цинка относительное сопротивление составляло 103-105 Ом · см при 3000 К. После введения цинка в кремний были изучены фотоспектр и индуцированная фотохимия. Эти соединения создали глубокие уровни в области, ограниченной кремнием.

Селен

Измерение температурной зависимости коэффициента Холла на образце кремния со смесью селена показывает, что селен кремний образует два донорных слоя.

Иттрий

Кремний n-типа исследованных редкоземельных элементов был характерен для рецептора. Установлено, что значения параметров диффузии всех редкоземельных элементов характерны для элементов III группы периодической системы элементов Д. И. Менделеева.

Родий

Уменьшение μ с ростом концентрации центров Rh в компенсированных образцах n-Si объясняется увеличением G.

Палладий

Исследована электропроводность кремния в палладиевой смеси и определены параметры этих соединений.

Олово

Дополнительная чувствительность к растяжению в кремнии, встроенном в олово, обусловлена ​​внутренним механическим напряжением, которое образуется в объеме кремния в соединениях олова.

Барий

При имплантации ионов Ba + наблюдалось влияние зоны, ограниченной кремнием. Это явление объясняется образованием новой зоны при имплантации ионов β +, толщина донорной поверхности которой составляет 0,2–0,3 эВ и соединяется со сверхпроводящей зоной. Когда имплантированы β + ионы, зона, в которой осаждаются слои рецептора, присоединяется к валентной зоне.

Рений

Исследована фотопроводимость рений-кремния и определены параметры этих соединений.

Осмий

Обогащение оксидом кремния имеет различную электропроводность и позволяет получать высокочувствительный светочувствительный материал. Наблюдалось, что нейтроны с интегральным потоком до 1015 см2 могут выдерживать g-излучение до потока 5 • 1018 см2 и при температурах до 8000 ° С.

Иридий

Установлена ​​устойчивость Иридиевого центра к температуре 6000С. Распределение активной энергии для каждого центра рассчитывается. Изучено влияние скорости коррозии на структурные дефекты кремния, легированный иридием.

Платиновый

Соединения платины образовали глубокие уровни в кремнии. Измерение фото показывает, что уровни платины в платине характерны для термической обработки. Скорость плавления кремния не влияет на глубокие уровни.

Золото

После введения золота в p-Si удельное сопротивление составляло 103-105 Ом · см при 3000 К.

Ртуть

Определена температурная зависимость коэффициента диффузии ртути на кремнии. Изучены электрические, фотоэлектрические и теплофизические свойства кремния, включенного в ртуть.

Радий

Изучено влияние атомов излучения на теплопроводность кремния в широком диапазоне температур. Наблюдалось появление дополнительной теплопроводности, и было установлено, что эта проводимость связана с природой смеси.

Гадолиний

Когда атомы гадолиния вводятся в кремний путем диффузии, образование четырех глубоких слоев определяется сложными методами.

Самарий

В кремнии, легированный Самарий, образуются четыре глубоких слоя.

Европий

Во время выращивания в кремнии образуются два глубоких слоя,

Эрбий

Кремний n-типа исследованных редкоземельных элементов был характерен для рецептора. Установлено, что значения параметров диффузии всех редкоземельных элементов характерны для элементов III группы периодической системы элементов Д. И. Менделеева.

Тулий

Кремний n-типа исследованных редкоземельных элементов был характерен для рецептора. Установлено, что значения параметров диффузии всех редкоземельных элементов характерны для элементов III группы периодической системы элементов Д. И. Менделеева.

Серебро

После введения серебра были изучены спектр фотохимии и индуцированной фотохимии. Эти соединения создали глубокие уровни в области, ограниченной кремнием.

...

Скачать:   txt (27.5 Kb)   pdf (99.1 Kb)   docx (15.3 Kb)  
Продолжить читать еще 7 страниц(ы) »
Доступно только на Essays.club