Исследование кремния во введении
Автор: suntulip • Июль 9, 2020 • Реферат • 1,760 Слов (8 Страниц) • 325 Просмотры
Исследование кремния во введении
Андижанский государственный университет
Б.Туланова, А.Мирзаалимов
Аннотация: В статье утверждается, что многие исследования в области физики кремния были проведены на кремнии. В частности, были включены некоторые элементы периодической системы в кремнии и рассмотрены полученные из нее результаты, а также некоторые аспекты применения этих результатов в различных областях науки и техники.
Ключевые слова: кремний, элемент, глубокая поверхность, фотопроводимость, легированный.
Полупроводниковые приборы, оборудование и оборудование в промышленности, сельском хозяйстве, транспорте, электронике, микроэлектронике и электронике, компьютерах, преобразовании энергии (особенно в солнечной энергии), связи, информации, бытовых услугах и во всех других сферах жизни общества. - Район выполняет важные задачи.
В нашей стране серьезные, эффективные научно-практические исследования проводятся на уровне мировой науки в области физики полупроводниковых приборов в институтах Академии наук и лабораториях университетов. Наиболее часто используемым материалом при производстве полупроводниковых приборов и систем является кремний. Анализ исследований в области физики полупроводников показывает, что многие исследования были проведены на кремнии. В этих исследованиях большинство элементов периодической системы были включены в кремний, и были получены различные результаты. В следующей таблице перечислены элементы, включенные в кремний, и результаты, которые он содержит.
Таблица 1
Наименование элемента | Полученные результаты |
Бор | Определен метод увеличения коэффициента добавок, введенных в германии и кремнии при разных температурах и на основе нагрева. |
Фосфор | Когда были имплантированы ионы с высоким P +, наблюдалось влияние зоны, ограниченной кремнием. Это явление объясняется образованием новой зоны при имплантации ионов P + с толщиной донорных слоев при 0.2–0.3 эВ и присоединением к сверхпроводящей зоне. |
Сера | Измерение температурной зависимости коэффициента Холла на образце серосодержащего кремния показывает, что сера кремний образует два донорных слоя. После введения серы в P-Si удельное сопротивление составляло 103-105 Ом · см при 3000 К. |
Скандий | После нанесения скандия на кремний E1 = Ec- (0,5 ÷ 0,2); E2 = E2-0,27; E3 = Ec - 0,35; E4 = Ec- (0,5 ÷ 0,55); Создаются глубокие уровни с энергией ионизации E5 = Ev + 0,45 эВ. |
Титан | Было обнаружено, что титан-кремний обычно производит два глубоких энергетических уровня, то есть энергию ионизации Es-0,27 эВ и Ev + 0,3 эВ. |
Ванадий | В образцах ванадия энергия ионизации кремния n-типа равна трем: Ei = Ec-0,21; Ei = Ec-0,32; Ei = Ec-0,52 эВ, а образцы p-типа равны четырем Ei = Ev + 0,52; Ei = Ev + 0,42; Ei = Ev + 0,31; Показано, что Ei = Ev + образует глубокие слои с 0.26 эВ. Концентрация этих поверхностей, значения сечений пропускания фотонов и тока определены экспериментально. |
Хром | Измерение температурной зависимости коэффициента Холла на хромсодержащем образце кремния показывает, что хром образует два слоя. |
Марганец | Технологический режим образцов кремния на марганцевых ножках. Восстановленные параметры авто-вибрации учитывают ток большой амплитуды I = 300 мА, инфракрасную частоту f = 10-3 ÷ 10 Гц и материал 100% модуляции. |
Железо | После введения железа в кремний были изучены спектр фотохимии и индуцированной фотохимии. Эти соединения создали глубокие уровни в области, ограниченной кремнием. |
Кобальт | Смеси кобальта образуют более глубокие слои в кремнии. Измерение фото показывает, что слои в кремнии кобальта характерны для термической обработки. Скорость плавления кремния не влияет на глубокие уровни. |
Никель | После введения никеля в n-Si удельное сопротивление составляло 103-105 Ом · см при 3000 К. Никель вводили в p-Si для измерения фотопроводимости при 770 К и 4,20 К. |
Медь | Смесь меди образовала глубокие слои в кремнии. |
Цинк | После введения цинка относительное сопротивление составляло 103-105 Ом · см при 3000 К. После введения цинка в кремний были изучены фотоспектр и индуцированная фотохимия. Эти соединения создали глубокие уровни в области, ограниченной кремнием. |
Селен | Измерение температурной зависимости коэффициента Холла на образце кремния со смесью селена показывает, что селен кремний образует два донорных слоя. |
Иттрий | Кремний n-типа исследованных редкоземельных элементов был характерен для рецептора. Установлено, что значения параметров диффузии всех редкоземельных элементов характерны для элементов III группы периодической системы элементов Д. И. Менделеева. |
Родий | Уменьшение μ с ростом концентрации центров Rh в компенсированных образцах n-Si объясняется увеличением G. |
Палладий | Исследована электропроводность кремния в палладиевой смеси и определены параметры этих соединений. |
Олово | Дополнительная чувствительность к растяжению в кремнии, встроенном в олово, обусловлена внутренним механическим напряжением, которое образуется в объеме кремния в соединениях олова. |
Барий | При имплантации ионов Ba + наблюдалось влияние зоны, ограниченной кремнием. Это явление объясняется образованием новой зоны при имплантации ионов β +, толщина донорной поверхности которой составляет 0,2–0,3 эВ и соединяется со сверхпроводящей зоной. Когда имплантированы β + ионы, зона, в которой осаждаются слои рецептора, присоединяется к валентной зоне. |
Рений | Исследована фотопроводимость рений-кремния и определены параметры этих соединений. |
Осмий | Обогащение оксидом кремния имеет различную электропроводность и позволяет получать высокочувствительный светочувствительный материал. Наблюдалось, что нейтроны с интегральным потоком до 1015 см2 могут выдерживать g-излучение до потока 5 • 1018 см2 и при температурах до 8000 ° С. |
Иридий | Установлена устойчивость Иридиевого центра к температуре 6000С. Распределение активной энергии для каждого центра рассчитывается. Изучено влияние скорости коррозии на структурные дефекты кремния, легированный иридием. |
Платиновый | Соединения платины образовали глубокие уровни в кремнии. Измерение фото показывает, что уровни платины в платине характерны для термической обработки. Скорость плавления кремния не влияет на глубокие уровни. |
Золото | После введения золота в p-Si удельное сопротивление составляло 103-105 Ом · см при 3000 К. |
Ртуть | Определена температурная зависимость коэффициента диффузии ртути на кремнии. Изучены электрические, фотоэлектрические и теплофизические свойства кремния, включенного в ртуть. |
Радий | Изучено влияние атомов излучения на теплопроводность кремния в широком диапазоне температур. Наблюдалось появление дополнительной теплопроводности, и было установлено, что эта проводимость связана с природой смеси. |
Гадолиний | Когда атомы гадолиния вводятся в кремний путем диффузии, образование четырех глубоких слоев определяется сложными методами. |
Самарий | В кремнии, легированный Самарий, образуются четыре глубоких слоя. |
Европий | Во время выращивания в кремнии образуются два глубоких слоя, |
Эрбий | Кремний n-типа исследованных редкоземельных элементов был характерен для рецептора. Установлено, что значения параметров диффузии всех редкоземельных элементов характерны для элементов III группы периодической системы элементов Д. И. Менделеева. |
Тулий | Кремний n-типа исследованных редкоземельных элементов был характерен для рецептора. Установлено, что значения параметров диффузии всех редкоземельных элементов характерны для элементов III группы периодической системы элементов Д. И. Менделеева. |
Серебро | После введения серебра были изучены спектр фотохимии и индуцированной фотохимии. Эти соединения создали глубокие уровни в области, ограниченной кремнием. |
...