Essays.club - Получите бесплатные рефераты, курсовые работы и научные статьи
Поиск

Изучение полупроводникового диода

Автор:   •  Февраль 19, 2019  •  Лабораторная работа  •  326 Слов (2 Страниц)  •  828 Просмотры

Страница 1 из 2

УрФУ

кафедра физики

О Т Ч Е Т

по лабораторной работе № 36

ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА

                                                                       

         

Студент: Груздев Илья                                                                          

Группа: ЭН-130103

Преподаватель: Степаненко А.В.

Дата: 29.04.2014

  1. Расчетная формула для измеряемой величины:

[pic 1]

10-23 Дж/К –Постоянная Больцмана[pic 2]

j1, j2 – значения обратного тока диода при температурах T1 и T2.

  1. Средства измерений и их характеристики:

Наименование средства измерения

Предел измерений

Цена деления шкалы

Предел основной погрешности

Вольтметр

1 В

0,1

0,05

Миллиамперметр

5 мА

0,5

0,25

Вольтметр

1 В

0,1

0,05

Микроамперметр

5 мкА

0,5

0,25

Термометр

-50;50 °С

0,1

0,05

  1. Задача 1: Изучение односторонней проводимости p-n-перехода. Снятие вольт-амперной характеристики полупроводникового диода:

Прямой ток

Обратный ток

Напряжение U, B

Сила тока I, мА

Напряжение U, B

Сила тока I, мкА

0

0,01

0,06

0

0,02

0,02

0,08

0,7

0,04

0,04

0,1

1,1

0,06

0,06

0,12

1,4

0,08

0,1

0,14

1,5

0,1

0,14

0,16

1,6

0,12

0,21

0,18

1,7

0,14

0,29

0,2

1,6

0,16

0,4

0,25

1,8

0,18

0,53

0,3

1,8

0,2

0,71

0,35

1,9

0,22

0,9

0,4

2

0,24

1,15

0,45

2,1

0,26

1,44

0,5

2,2

0,28

1,8

Построить графики зависимости J(U) – (1.)

Задача 2: Изучение температурной зависимости обратного тока насыщения j1 и прямого тока и определение ширины запрещенной зоны германия:

...

Скачать:   txt (3.7 Kb)   pdf (236.2 Kb)   docx (12.2 Kb)  
Продолжить читать еще 1 страницу »
Доступно только на Essays.club