Травление жидкостным методом с использованием установки Лада-125

СОДЕРЖАНИЕ

1. Анализ задания на проектирование;
2. Анализ методов травления и выбор оптимального;
3. Анализ оборудования для травления жидкостным методом и выбор оптимального;
4. Анализ материалов, инструментов, оснастки для ТП и выбор оптимального;
5. Анализ методов и критериев контроля качества ТП и выбор оптимальных.
6. Анализ и выбор условий производства;
7. Основные конструктивные элементы и принцип действия установки травления SiO2 жидкостным методом; Подготовка установки, материалов и разработка рабочего места; Разработка алгоритма травления SiO2 жидкостным методом;

8. Анализ брака, пути предупреждения и устранения. Направления по оптимизации технологического процесса.
9.Мероприятия по охране труда и окружающей среды.
Заключение
Литература
Перечень сокращений
Приложение А. Схема установки травления SiO2 жидкостным методом.
Приложение В. Алгоритм процесса травления SiO2 жидкостным методом.

1. Анализ задания на проектирование;

Цель: Разработать технологический процесс травления жидкостным методом с использованием установки Лада-125.

Задачи: Изучить строение установки Лада -125; Изучить методы травления; Изучить и разработать технологический процесс травления одним из предложенных методов.

А в т о м а т 08ФН-125/200-004 предназначен для нанесения фоторезиста на полупроводниковые пластины диаметром 76, 100 и 125 мм методом центрифугирования и может работать в составе линии фотолитографии "Лада-125" или автономно в комплекте с блоком обеспыливания "Лада-2". Автомат состоит из двух одинаковых и действующих независимо друг от друга треков, на которых выполняется полный цикл обработки полупроводников пластин, заключающийся в транспортировке их из подающей кассеты на рабочую позицию (столик центрифуги), нанесении фоторезиста в соответствии с заданной программой, съеме и транспортировке в приемную кассету.

Основанием автомата служит каркас, внутри которого смонтированы треки, блоки и пульты управления, а также вентиляционные и канализационные трубопроводы, выведенные на заднюю стенку. Кроме того, на общем каркасе расположены два блока клапанов для каждого трека. Емкости с растворами, соединенные гибкими шлангами с блоками клапанов и далее с насадками, размещены автономно.

2. Анализ методов травления и выбор оптимального;

Травление полупроводниковых материалов — важная операция при изготовлении полупроводниковых приборов и в эпитаксиальной технологии — для очистки поверхности от загрязнений и окислов; для удаления нарушенного слоя после механической обработки и контролируемого удаления материала с целью получения пластин заданной толщины с совершенной поверхностью; для контролируемого изменения поверхностных свойств; для создания нужного рельефа на поверхности пластин (например, для вытравливания лунок при изготовлении различного типа сплавных и поверхностно-барьерных транзисторов); для ограничения площади р—n-переходов в готовых диодных и триодных структурах.

Классический процесс химического травления состоит в химической реакции

жидкого травителя с твердым телом с образованием растворимого соединения;

последнее смешивается с травителем и в дальнейшем удаляется вместе с ним.

В отличие от механического удаления, травление обеспечивает гораздо большую прецизионность процесса: стравливание происходит плавно – один мономолекулярный слой за другим. Подбирая травитель, его концентрацию, температуру и время травления, можно весьма точно регулировать толщину удаляемого слоя. Например, при химической полировке пластины кремния, используя соответствующий травитель, можно обеспечить скорость травления 0,1 мкм/мин, т. е. за 20–30 снять слой толщиной всего 40–50 нм. Для большей равномерности травления и удаления продуктов реакции с поверхности ванночку с раствором вращают в наклонном положении (динамическое травление) или вводят в раствор ультразвуковой вибратор (ультразвуковое травление).