Исследование характеристик и параметров полупроводниковых диодов

Министерство образования и науки Российской Федерации

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение Высшего образования «Московский государственный технический университет

имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)»

(МГТУ им Н.Э. Баумана)

Факультет «Робототехника и комплексная автоматизация»

Кафедра «Системы автоматизированного проектирования»

Лабораторный практикум №2

по теме: «Исследование характеристик и параметров полупроводниковых диодов»

D2C530B

Работу выполнил:

студент группы

Работу проверил:

Оглоблин Д.И.

Москва, 2021

Цель работы - провести экспериментальное исследование поведения диода, как управляемой электрической ёмкости и по результатам исследования получить параметры барьерной ёмкости диода. В анализе использовать схему с параллельным колебательным контуром.

Пункт № 1

Для заданного диода марки D2C530B проведем моделирование лабораторного стенда для определения резонансных частот диода в программе Micro-Сap 11:

Поскольку ток- переменный анализ будет проводиться в AC. Поскольку диод низкочастотный, то резонанс происходит на частотах ниже 500000 герц.

⦁ Заполнение полей диалогового окна пределов частотного анализа

⦁ Поля Stepping:

⦁ График резонансных частот:

Частота /герц Напряжение на батарейке/ вольт

282735 0

331412 1

356913 2

372580 3

384332 4

393333 5

Пункт № 2

Построим график зависимости резонансной частоты от напряжения на батарейке в программе MathCAD:

Пункт № 3

Построим вольтфарадную характеристику:

Пункт № 4

Рассчитаем барьерную ёмкость в программе MathCAD методом Given:

Теперь сравним значения с табличными:

МГТУ им. Н.Э. Баумана

Дисциплина электроника

Лабораторный