Разработка низкотемпературных методов защиты поверхности планарных p-n-переходов на кремнии

СОДЕРЖАНИЕ

стр.

ВВЕДЕНИЕ                                                                                                                                    7

1. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ                                                         8

1.1. Область применения и методы получения планарных p-n-переходов                  8

1.1.1. Устройство МДП-структур и их энергетическая диаграмма                              8

1.1.2. Технология изготовления планарных p-n-переходов                                         10

1.1.3. Принцип действия и устройство pin-фотодиода                                                 12

1.2. Поверхностный  заряд  и  его  влияние  на вольт - амперные

характеристики полупроводниковых диодов                                                                15

1.2.1. Природа поверхностного заряда                                                                           15

1.2.2. Поверхностный пробой и методы его устранения                                       16

1.2.3. Генерация - рекомбинация  носителей заряда  на поверхности

полупроводника                                                                                                               20

1.2.4. Каналы поверхностной электропроводности                                                      20

1.3. Природа и составляющие обратного тока полупроводниковых диодов             22

1.3.1. Природа обратного тока                                                                                        23

1.3.2. Диффузионный ток                                                                                                23

1.3.3. Ток генерации в ОПЗ p-n-перехода                                                                      23

1.3.4. Ток, обусловленный краевым электрическим полем                                         24

1.3.5. Ток поверхностной утечки                                                                                    26

1.3.6. Ток   утечки,    обусловленный    миграцией    ионов      на      

поверхности  р-n-перехода                                                                                              27

1.3.7. Влияние состояния поверхности р-n-перехода на ВАХ и токи утечки            28

1.4. Методика защиты поверхности планарных p-n-переходов                                  31

1.4.1. Защита окислением                                                                                                31

1.4.1.1. Термическое окисление                                                                                      31

1.4.1.2. Пиролитическое окисление                                                                                33

1.4.1.3. Химическое окисление                                                                                       35

1.4.2. Плазмохимическое осаждение SiO2 из органооксисиланов                              36

1.4.2.1. Технология получения плазмохимических пленок                                         36

1.4.2.2.  Свойства плазменных окислов кремния                                                          37

2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ                                                                                       39

2.1. Постановка задачи                                                                                     39

2.1.1. Методика подготовки образцов                                                                            40

2.1.2. Технологический маршрут изготовления МДП-структур                                 41

2.1.3. Установка для плазмохимического осаждения диэлектрических пленок       42

2.1.3.1. Назначение                                                                                                           42

2.1.3.2. Технические данные                                                                                           42

2.1.3.3. Устройство и работа                                                                                           43

2.1.3.4. Схема технологического процесса                                                                    45

2.2. Охрана труда и окружающей среды                                                                        47

2.2.1. Идентификация опасных и вредных факторов                                                   47