Микроэлектронные запоминающие устройства

Тема. Микроэлектронные запоминающие

устройства (тема 5)

1. Общие сведения

1. Определения. Классификация микросхем памяти
2. Основные функциональные характеристики микросхем памяти
3. Типовая структура микросхемы памяти

1. Оперативная память (оперативные запоминающие устройства – ОЗУ)

2.1 Классификация. Определения

1. 2. Структурная схема ОЗУ (RAM)

1. Схема ОЗУ, построенного на нескольких микросхемах памяти
2. Временные диаграммы записи и чтения статического ОЗУ

1. 5. Шинный формирователь
2. Постоянные запоминающие устройства ПЗУ.

1. Принципы организации и виды
2. ROM-ПЗУ
3. PROM-ПЗУ
4. Репрограммируемые постоянные запоминающие устройства

1. UV-EPROM с ультрафиолетовым стиранием
2. EEPROM с электрическим стиранием.
3. FLASH-ПЗУ[pic 1][pic 2]

1. Общие сведения

1. 1. Определения. Классификация микросхем памяти

[pic 3]

Понятие «память» связывается с ЭВМ и определяется как ее функциональная часть, предназначенная для записи, хранения и выдачи данных. Комплекс технических средств, реализующий функцию памяти, называется запоминающим устройством (ЗУ).

Память может быть внутренней и внешней. Внешней называют память на

магнитных, оптических дисках, лентах и т.п.

Внутренняя память выполняется, чаще всего, на микросхемах.

2

Классификация микросхем памяти

[pic 4][pic 5][pic 6]

[pic 7][pic 8]

[pic 9]        [pic 10]

3

Классификация микросхем памяти

МИКРОСХЕМЫ ПАМЯТИ[pic 11]

ОПЕРАТИВНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО – ОЗУ (RAM)

ПОСТОЯННОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО – ПЗУ (ROM)

СТАТИЧЕСКОЕ ОЗУ (SRAM)

РЕГИСТРОВОЕ ОЗУ (RG)

МАСОЧНОЕ ПЗУ – ПЗУМ (ROM)

ПРОГРАММИРУЕМОЕ ПОЛЬЗОВАТЕЛЕМ – ППЗУ (PROM)

ДИНАМИЧЕСКОЕ ОЗУ (DRAM)

РЕПРОГРАММИРУЕМ ОЕ ПЗУ – РПЗУ (EPROM)

ПРОГРАММИРУЕМАЯ

ЛОГИЧЕСКАЯ

МАТРИЦА – ПЛМ (PLM)

С

УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫМ СТИРАНИЕМ – РПЗУ-УФ (EPROM)

СО СТИРАНИЕМ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ СИГНАЛОМ РПЗУ–ЭС (EEPROM)

ФЛЭШ-ПЗУ (flash

ROM)

4

1. Информационная емкость - определяется числом одновременно хранящихся в[pic 12]

матрице-накопителе единиц информации (бит).

Элемент памяти: триггер, миниатюрный конденсатор, транзистор с "плавающим затвором", плавкая перемычка (или ее отсутствие).

Ячейка памяти (ЯП) - упорядоченный набор элементов памяти.

Количество элементов памяти в ячейке (длина слова) обычно кратно 2n (1,4,8,16,

32,64..), причем величины свыше 8-ми достигаются, обычно, группировкой

микросхем с меньшим количеством ЭП. Количество ЭП в ЯП иногда называется

длиной слова.

Емкость ЗУ чаще всего выражается в единицах кратных числу 210 = 1024 = 1K. Для длины слова равной биту (одному двоичному разряду) или байту (набору из восьми бит) эта единица называется килобит или килобайт и обозначается Kb или KB.

[pic 13]

1. Разрядность - определяется количеством двоичных символов, т.е. разрядов, в запоминаемом числе. Наибольшее распространение получила одноразрядная организация микросхем памяти, при которой микросхема обеспечивает одновременное хранение т х п одноразрядных чисел.[pic 14]

По другому - организация микросхем ЗУ. Она может быть различной при одном и том же объеме памяти. Например, 65 536 бит могут выглядеть как 4 096 х 16, или как 8 192 х 8, или в другом сочетании. Внутренняя организация запоминающей матрицы при этом остается неизменной, изменяется только внешний интерфейс и, соответственно, число внешних выводов.

Адрес ЯП. Каждой из двух в степени "n" ячеек памяти однозначно соответствует

"n"- разрядное двоичное число.

Например, адресом 511-ой ячейки будет число 1 1111 1111(BIN) = 511(DEC) =

1FF(HEX). В программах адреса употребляются в 16-ном формате.