Проектировании комбинационного устройства в рамках изучаемого курса «Схемотехника»

Содержание

Задание курсового проекта                                                                        2

Замечания руководителя                                                                        3

 Введение                                                                                                5

1 Серия микросхем К155                                                                        6

   1.1 Микросхемы К155ЛА1, КМ155ЛА1, КБ155ЛА1-4                                6

   1.2 Микросхемы К155ЛН1, КМ155ЛН1, КБ155ЛН1-4                                9

2 Практическая часть                                                                                11

   2.1 Упрощение логического выражения                                                11

   2.2 Построение таблицы истинности и карты Карно                                13

2.3 Построение логических и комбинационных схем                                        15

2.4 Построение электрической схемы                                                        18

Заключение                                                                                        19

Список литературы                                                                                20

Введение

История развития микроэлектроники показывает, что многие технологические новации позволяют получить важные для потребителей свойства изделий только после пересмотра или, по крайней мере, глубокой модернизации схемотехнических принципов построения широкого класса функциональных устройств. Достаточно обратить внимание на принцип собственной компенсации влияния паразитных емкостей полупроводниковых компонентов на характеристики и параметры аналоговых схем (усилителей, фильтров, корректоров и т.п.). За прошедшие годы он получил мощное развитие и для многих важных задач синтеза структур и принципиальных схем доведен до уровня функционально-топологических правил и рекомендаций. Он же использован в целом ряде практических разработок ИС, позволившим отечественным предприятиям на базе микронной технологии обеспечить вполне конкурентоспособные параметры своей продукции. Ряд зарубежных лидеров в секторе аналоговой электроники использует собственную компенсацию в изделиях для субмикронной и даже глубокой субмикронной технологии. Подобных примеров, демонстрирующих возможность минимизации или компенсации влияния паразитных параметров компонентов на основные характеристики ИС, можно привести достаточно много.

В данном курсовом проекте приведён ручной метод минимизации логического уравнения с использованием законов и теорем булевой алгебры. По сути, методика, представленная в данном проекте является основой, используемой при проектировании современных ИС.

Цель курсового проекта состоит в том, чтобы обрести практические навыки в работе с современным САПР ПЛИС при проектировании комбинационного устройства в рамках изучаемого курса «Схемотехника».

1 Серия микросхем К155

Данная серия является ТТЛ-типа, выполняется по биполярной технологии с изоляцией p-n переходом. В таблице 1 описаны предельно допустимые режимы эксплуации данной серии.

Таблица 1 - Предельно допустимые режимы эксплуатации