История развития Воронежского завода полупроводниковых приборов

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ  ГОСУДАРСТВЕННОЕ  БЮДЖЕТНОЕ

ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ  УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО  ОБРАЗОВАНИЯ

«ВОРОНЕЖСКИЙ  ГОСУДАРСТВЕННЫЙ  ТЕХНИЧЕСКИЙ  УНИВЕРСИТЕТ»

(ФГБОУ ВО «ВГТУ», ВГТУ)

Радиотехники и электроники

(факультет)

Кафедра полупроводниковой электроники и наноэлектроники

Доклад

 по дисциплине:          История и методология науки и техники в области электроники

 Тема:          История развития Воронежского завода полупроводниковых приборов

Подготовил студент                                                    Ф. И. Тимербаев                

                                                           Подпись, дата              Инициалы, фамилия

Подготовил студент                                                    А. Б. Царев                              

                                                           Подпись, дата              Инициалы, фамилия

Руководитель                                                               М. И. Горлов                

                                                            Подпись, дата             Инициалы, фамилия

2018

31-го декабря 1957 года Советом Министров СССР принято постановление о строительстве завода по производству полупроводниковых приборов в Воронеже.

7-го марта 1958 Совет Министров РСФСР выпустил распоряжение о передаче заводу объектов строящейся швейной фабрики. Реконструкция и строительство завода были отнесены к особо важным объектам народно-хозяйственной отрасли страны. В октябре группа рабочих и ИТР в количестве 110 человек были направлены на переподготовку на шестимесячные курсы на опытные заводы при НИИ «Сапфир» и «Пульсар» в город Москву. В декабре была сдана в эксплуатацию первая секция главного корпуса (по улице Минская).

В январе 1959 года было создано Особое конструкторское бюро (ОКБ), начальником которого и одновременно главным технологом был назначен В.Г.Колесников. В том же году, 18 июня, выпущена первая партия кремниевых сплавных высоковольтных диодов типа Д202-Д205 в количестве 9 штук. Эту дату принято считать днём рождения ВЗПП. В июле было изготовлено 9635 диодов, а в декабре — 75 тысяч, в том числе первая партия диодов с приемкой заказчика. Также в декабре завершилось освоение и организация серийного производства германиевых сплавных диодов типа Д7.

В июле 1960 года на заводе был создан отдел главного технолога, а также запущена первая конвейерная печь для получения сплавных германиевых переходов для транзисторов.

В 1961 году освоен и начат выпуск германиевых мощных сплавных транзисторов типа П4, П201-203, кремниевых мощных сплавных транзисторов П302-П304. Специалистами ЦКБ разработан первый отечественный маломощных высокочастотный транзистор 2Т301.

В 1962 году завод посетил Председатель ГКЭТ СССР Шокин Александр Иванович, будущий Министр Электронной промышленности. Советом Министров СССР принято постановление о строительстве нового производственного корпуса №9, отвечающего требованиям производства полупроводниковых приборов, с разработкой и изготовлением под него комплексно-модернизированных линий для 7 типов полупроводниковых приборов. На ЦКБ была возложена задача по разработке комплексно-механизированной линии по изготовлению диодов типа Д226.

В 1963 году начато строительство корпуса №9, металлургического корпуса, водородной и азотной станции, юго-восточной электроподстанции. Освоен в серийном производстве с приемкой заказчика первый на заводе диффузионный транзистор 2Т301.

Активная работа по созданию интегральной схемы началась в ЦКБ при ВЗПП в конце 1964 г. В отделе, занимающимся разработкой планарных транзисторов, была создана группа специалистов под руководством В.И. Никишина, в которую входили Л.Н. Петров, А.П. Удовик, Ю.А. Верницкий, М.И. Горлов, Ю.Г. Замотайлов, Целью работы было создание элементов «твердых схем»: диодов, транзисторов, резисторов. Аналогичные работы в те годы проводились лишь в головном институте в Москве, т.е в «Пульсаре».