Технология формирования двухслойной фоторезистивной маски для взрывной фотолитографии

ДИПЛОМНАЯ РАБОТА СПЕЦИАЛИСТА

«формирование двухслойной фоторезистивной маски для взрывной фотолитографии»

*оформите титульный лист в соответствии с требованиями Вашего учебного заведения

**это демо-версия работы – часть контента закрашено символами «&»

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ        4

ГЛАВА 1. ТЕХНОЛОГИЯ ФОРМИРОВАНИЯ ДВУХСЛОЙНОЙ ФОТОРЕЗИСТИВНОЙ МАСКИ        7

1.1. ПОДГОТОВКА ПОВЕРХНОСТИ        7

1.2. НАНЕСЕНИЕ ПЕРВОГО СЛОЯ ФОТОРЕЗИСТА        9

1.3. НАНЕСЕНИЕ ВТОРОГО СЛОЯ ФОТОРЕЗИСТА        12

ГЛАВА 2. ОПТИМИЗАЦИЯ ПРОЦЕССА ВЗРЫВНОЙ ФОТОЛИТОГРАФИИ        15

2.1. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ОПТИМАЛЬНЫХ ПАРАМЕТРОВ ЭКСПОЗИЦИИ        15

2.2. АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ ТОЛЩИНЫ СЛОЕВ ФОТОРЕЗИСТА НА КАЧЕСТВО МАСКИ        18

2.3. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ РАЗЛИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ СВЕТА НА ПРОЦЕСС ФОТОЛИТОГРАФИИ        21

ГЛАВА 3. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ДВУХСЛОЙНОЙ ФОТОРЕЗИСТИВНОЙ МАСКИ ДЛЯ СОЗДАНИЯ МИКРОНАНОСТРУКТУР        23

3.1. МЕТОДЫ ТРАВЛЕНИЯ И ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ        23

3.2. ФОРМИРОВАНИЕ МИКРООТВЕРСТИЙ И КАНАЛОВ        26

3.3. СОЗДАНИЕ МИКРОШАБЛОНОВ И ГРАВИРОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТИ        29

ГЛАВА 4. АНАЛИЗ И КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА ДВУХСЛОЙНОЙ ФОТОРЕЗИСТИВНОЙ МАСКИ        32

4.1. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТОЛЩИНЫ СЛОЕВ ФОТОРЕЗИСТА        32

4.2. ИЗМЕРЕНИЕ РАЗМЕРОВ И ФОРМЫ ПОЛУЧЕННЫХ МИКРОСТРУКТУР        35

4.3. ОЦЕНКА СТЕПЕНИ ВЫРАВНИВАНИЯ И ЦЕНТРИРОВАНИЯ МАСКИ        38

ГЛАВА 5. ПРИМЕНЕНИЕ ДВУХСЛОЙНОЙ ФОТОРЕЗИСТИВНОЙ МАСКИ В СОВРЕМЕННОЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ        41

5.1. ИЗГОТОВЛЕНИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ        41

5.2. ПРОИЗВОДСТВО МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ СИСТЕМ        44

5.3. ПРИМЕНЕНИЕ В ОПТИЧЕСКИХ И ФОТОННЫХ УСТРОЙСТВАХ        48

ЗАКЛЮЧЕНИЕ        51

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ        53

ВВЕДЕНИЕ

Фотолитография является одним из ключевых процессов в производстве микроэлектронных устройств. Она позволяет создавать микронаноструктуры, необходимые для формирования различных элементов интегральных схем, таких как транзисторы, конденсаторы и металлические проводники. Одним из важных этапов фотолитографического процесса является формирование фоторезистивной маски, которая служит для передачи изображения на подложку.

В последние годы все большее внимание уделяется разработке и оптимизации новых методов формирования фоторезистивной маски. Одним из таких методов является взрывная фотолитография, которая позволяет создавать микронаноструктуры с высоким разрешением и точностью. Взрывная фотолитография основана на использовании двухслойной фоторезистивной маски, состоящей из двух слоев фоторезиста различной чувствительности к свету.

Целью данной работы является изучение технологии формирования двухслойной фоторезистивной маски для взрывной фотолитографии, оптимизация процесса взрывной фотолитографии, а также анализ и контроль качества двухслойной фоторезистивной маски. Также будет рассмотрено применение данной маски в современной микроэлектронике.

Первая глава работы посвящена технологии формирования двухслойной фоторезистивной маски. В этой главе будут рассмотрены основные этапы процесса формирования маски, такие как подготовка подложки, нанесение первого слоя фоторезиста, его экспонирование и развитие, а также нанесение второго слоя фоторезиста и его экспонирование.

Вторая глава работы посвящена оптимизации процесса взрывной фотолитографии. В этой главе будут рассмотрены различные методы оптимизации процесса, такие как выбор оптимальных параметров экспонирования, определение оптимальной толщины фоторезиста, а также оптимизация процесса развития и удаления фоторезиста.