Essays.club - Получите бесплатные рефераты, курсовые работы и научные статьи
Поиск

Исследование полупроводниковых диодов

Автор:   •  Октябрь 19, 2020  •  Лабораторная работа  •  897 Слов (4 Страниц)  •  707 Просмотры

Страница 1 из 4

ПЕРВОЕ ВЫСШЕЕ ТЕХНИЧЕСКОЕ УЧЕБНОЕ ЗАВЕДЕНИЕ РОССИИ

[pic 1]

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ

ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ

САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОРНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

Кафедра электроэнергетики и электромеханики

ОТЧЕТ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №2

 ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

Выполнил: студенты группы ОНГ-18-1       Легащева В.А.                           .

                                                                                  (Ф.И.О.)             (Подпись)

                                   Постников В.А.                           .

                                                                                  (Ф.И.О.)             (Подпись)

                                   Цабанов И.А.                           .

                                                                                  (Ф.И.О.)             (Подпись)

Проверил: доцент кафедры ОЭ                         Турышева А.В.                            .

              (Должность)                             (Ф.И.О.)              (Подпись)

САНКТ-ПЕТЕРБУРГ

2020

Цель работы: 

Исследование биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (рис. 1) и по схеме с общей базой (рис. 2).

Схемы установок:

[pic 2]

[pic 3]


Таблицы результатов

Таблица 1. Семейство входных и проходных характеристик транзистора по схеме с общим эмиттером

Iб, мкА

Uкэ=0В

Uкэ=3В

Uкэ=6В

Uбэ, мВ

Iк, мА

Uбэ, мВ

Iк, мА

Uбэ, мВ

Iк, мА

0

55

0.05

55

0.05

58

0.07

25

149

1.22

149

1.29

147

1.46

50

176

2.8

176

3

175

3.34

75

196

4.62

195

4.93

192

5.55

100

211

6.52

210

7.02

205

7.8

125

224

8.48

222

9.13

217

10.6

150

235

10.48

232

11.49

226

13.3

[pic 4]

[pic 5]


Таблица 2. Семейство выходных характеристик транзистора по схеме с общим эмиттером

Uкэ, В

Iк, мкА

Iб=0 мкА

Iб=50 мкА

Iб=100 мкА

Iб=150 мкА

0

0

50

280

70

0.5

60

2710

6350

10270

1

60

2770

6500

10520

2

60

2860

6790

11010

3

60

2950

7050

11530

4

60

3040

7340

12020

5

60

3130

7610

13550

6

60

3220

7970

14170

[pic 6]

Таблица 3. Семейство входных и проходных характеристик транзистора по схеме с общей базой

Iэ, мА

Uкб=0В

Uкб=3В

Uкб=6В

Uэб, мВ

Iк, мА

Uэб, мВ

Iк, мА

Uэб, мВ

Iк, мА

0

0

0

0

0

0

0

2.5

189

2.43

187

2.47

182

2.46

5

239

4.94

234

4.34

223

4.96

7.5

281

7.47

272

7.43

266

7.4

10

317

9.8

307

9.82

298

9.84

...

Скачать:   txt (6.6 Kb)   pdf (403.5 Kb)   docx (320 Kb)  
Продолжить читать еще 3 страниц(ы) »
Доступно только на Essays.club