Расчет режима транзистора для выходного усилителя

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение

высшего профессионального образования

М о с к о в с к и й   а в и а ц и о н н ы й   и н с т и т у т

( Национальный исследовательский университет )

Институт №4  «Радиоэлектроника, инфокоммуникации и информационная безопасность»

Курсовая работа

По дисциплине «Методы и устройства формирования сигналов»

                                                        Выполнил: студент гр. М40-407Б

                                                        _______________

Москва, 2020

1. Расчет режима транзистора для выходного усилителя

[pic 1]

[pic 2]

[pic 3]

Где, F – рабочая частота (Гц); P1 – выходная мощность (Вт); F1 – граничная частота транзистора (Гц); R1 – сопротивление базы (Ом); R2 – сопротивление коллектора (Ом); R3 – сопротивление эмиттера (Ом); С1 – полная емкость коллектора (Ф); 10 С2 – активная емкость коллектора (Ф); С3 – емкость эмиттера (Ф); L1 –индуктивность ввода эмиттера (Гн); L2 –индуктивность ввода базы (Гн); L3 –индуктивность ввода коллектора (Гн); H – статистический коэффициент передачи тока; T – температура перехода (град.); U1 – допустимое напряжение коллектора (B); U2 – допустимое напряжение базы (B); U4 – напряжение смещения базы (B); U3 – напряжения приведения по базе (B); P2 – максимальная мощность рассеивания (Вт); S1 – граничная крутизна (См); F – частота в типовом режиме (Гц); К1 – коэффициент усиления в типовом режиме; P3 – мощность в типовом режиме (Вт); U0 – напряжение питания (B);