Використання гетероструктур для створення найновіших світодіодів

УДК: 53.043

Використання гетероструктур для створення найновіших світодіодів.

Студ. Тригубець Б., Солом’янюк Д.

Ст. викл. Печерська Т.В.

Національний Технічний Університет України «КПІ ім. І.Сікорського»

Гетероструктури — це складові найсучасніших напівпровідникових приладів, що розробляються та виробляються. Вони є найважливішими елементами оптимізованих джерел та детекторів найвищої продуктивності та використовуються у високошвидкісних та високочастотних цифрових та аналогових пристроях. Використання гетероструктур полягає в тому, що вони пропонують точний контроль над станами та рухами носіїв заряду в напівпровідниках. Гетероструктура визначається як напівпровідникова структура, в якій хімічний склад змінюється з шаром. Найпростіша гетероструктура складається з єдиного гетеропереходу, який є інтерфейсом всередині напівпровідникового кристала, через який змінюється хімічний склад. Більшість пристроїв та експериментальних зразків містять більше одного гетеропереходу. Гетероструктури виготовляються за допомогою процесу епітаксіального росту. Більшість перевірених епітаксіальних методів були застосовані для росту гетероструктур. До них відносяться молекулярно-променева епітаксія (MBE) та металорганічне хімічне осадження парів (MOCVD). Рідка фаза епітаксія (LPE) - це стара технологія гетероструктури, яка була витіснена MBE та MOCVD, оскільки не дозволяє точно контролювати виготовлену структуру.[1]

Значна частина сучасних складних напівпровідникових пристроїв тепер включає досить складні та точні структури, що містять багато гетеропереходів. Наявність високоякісних багатошарових гетероструктур призвело до нових ефектів, що мають широке застосування, таких як двовимірні транспортні ефекти, квантові свердловини, допінг модуляції, дельта-допінг, обмеження носіїв та фотонів тощо.

Яскравий приклад, світлодіод, який виготовлений з гетероструктури