Характеристики и параметры биполярного транзистора

Лабораторная работа 2

Характеристики и параметры биполярного транзистора

1. Цель работы

Исследование статических характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение его основных мало-сигнальных параметров.

2. Выполнение работы

2.1. Соберем схему для исследования биполярного транзистора (см.рис. 2.1).

[pic 1]

Рис.2.1. Схема для исследования

2.2. Согласно номеру варианта (Вариант 6) выберем транзистор BF258. Для вольтметра М1 и амперметр М2 установим в режим измерения постоянного тока. Ток базы IБ (источник тока I1) установим равным 50 мкА. Напряжение коллектор-эмиттер UКЭ (источник напряжения V1) установите равным 15 В (см.рис.2.2).

[pic 2]

Рис.2.2. Схема для исследования в программе EWB 512  

2.3. Определим ток базы IБ, при котором ток коллектора IК (амперметр М2) будет равен 10 мА (см.рис.2.3). Ток базы подберите с точностью до1 мкА.

[pic 3]

Рис.2.3

Найденное значение тока базы обозначим IБ.max, которое при IК=10 мА равно:

. [pic 4]

2.4. Снимем входные статические характеристики IБ=f(UБЭ) при UКЭ1=0 В и UКЭ2=5 В, задавая ток базы IБ (источник тока I1) и фиксируя напряжение база-эмиттер UБЭ (вольтметр М1).

Ток базы изменяем от 1 мкА до IБ.max=216 мкА (1, 2, 5, 10, 20, 50, ... 216 мкА).

Данные измерений заносим в таблицу 2.1 и 2.2.

Таблица 2.1

Данные измерения при UКЭ1=0 В.

Таблица 2.2

Данные измерения при UКЭ2=5 В.

2.5. По полученным измерениям построим входные статические характеристики IБ=f(UБЭ) (см.рис.2.4).

[pic 9]

Рис.2.4. Входные статические характеристики IБ=f(UБЭ) при UКЭ1=0В и UКЭ2=5В

2.6. Снимем семейство выходных статических характеристик IК=f(UКЭ) при четырех значениях тока базы IБ=const, определяя ток коллектора IК при напряжениях коллектор-эмиттер 0,1; 0,2; 0,5; 1; 2; 5; 10; 15 В.