Исследование схем на биполярных транзисторах

Лабораторная работа №3

«Исследование схем на биполярных транзисторах»

Цель работы: изучение конструкции, принципов действия и классификации, широко используемых в электронике биполярных и полевых транзисторов, а также освоение методов моделирования основных типов схем, использующих полупроводниковые транзисторы, в среде Multisim.

[pic 1]

Рис.1 Условно-графическое изображение биполярного транзистора

Электрическая структура n–p–n перехода

В биполярном транзисторе физические процессы определяются движением носителей заряда обоих знаков, что и отражено в его названии.

Рассмотрим принцип действия транзистора p-n-p (физические процессы в транзисторе n-p-n аналогичны). Концентрация основных носителей в базе много ниже концентрации основных носителей в эмиттере и коллекторе, т. е. база является высокоомным слоем. Такое соотношение концентраций достигается технологией при изготовлении. В состоянии равновесия на границе p- и n- областей (эмиттер - база и база – коллектор) имеют место потенциальные барьеры с потенциалом «φ». На рис. 2 показана электрическая структура n-p-n перехода.

[pic 2]

Рис.2. Электрическая структура n-p-n перехода

Если к эмиттерному переходу присоединить источник постоянного напряжения с полярностью, соответствующей проводящему направлению (т.е. «–»), а к коллекторному переходу «+», то потенциальный барьер эмиттерного перехода уменьшится, а коллекторного перехода увеличится. Чтобы возник ток через К->Э, необходимо к базовой области присоединить второй источник постоянного напряжения со знаком «+». Т.е. ток через К-Э зависит от тока базы.

Электрические схемы

[pic 3]

Рис. 3. Схема электрическая принципиальная биполярного

n-p-n транзистора с ОЭ

Табл.1. Входная характеристика КТ3117А

Табл.2. Выходная характеристика КТ3117А