Биполярный транзистор КТ340В

ВВЕДЕНИЕ

Электроника – наука о взаимодействии электронов с электромагнитными полями и методах создания электронных приборов и устройств для преобразования электромагнитной энергии, в основном для приёма, передачи, обработки и хранения информации.

Сфера применения электроники постоянно расширяется и поэтому знания в данной области становятся необходимыми для специалистов. Практически каждая сложная техническая система оснащается электронными устройствами. Характеристики электронных устройств определяются, прежде всего, характеристиками составляющих их элементов.

Цель данной курсовой работы: рассмотреть биполярный транзистор КТ340В, определить его параметры и статические характеристики, в соответствии с заданными условиями выполнить анализ работы транзистора с нагрузкой в выходной цепи, рассчитать параметры эквивалентной схемы и  малосигнальные параметры транзистора.

В теоретической части изложены общие теоретические сведения о биполярных транзисторах, приведены справочные данные  биполярного транзистора КТ340В: описание, электрические параметры и предельный эксплуатационные данные. Приведены семейства входных и выходных статистических характеристик транзистора, представлены аналоги транзистора КТ340В.

В расчетной части указаны исходные данные, построена нагрузочная прямая по постоянному току, выбрано положение рабочей точки (точки покоя). Для данного транзистора определены малосигнальные параметры в окрестностях точки покоя, величины элементов эквивалентной схемы, граничные и предельные частоты транзистора, построены графики зависимости от частоты.

Теоретическая часть

Общие сведения о биполярных транзисторах.

Транзистором называется электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним или  несколькими электрическими переходами, пригодный для усиления мощности и имеющий три или более выводов. Цепь одного из выводов является входной, в цепь другого – выходной. Наиболее практическое применение получили транзисторы с двумя и тремя выводами (их иногда называют биполярными).

Переходы делят монокристалл транзистора на три области, причем, средняя область имеет тип электропроводности, противоположный крайним. В транзисторе среднюю область называют базой, одну из крайних областей - эмиттером, другую – коллектором,а отделяющие базу от эмиттера и коллектора переходы соответственно эмиттерным и коллекторным. Эмиттер и коллектор транзистора могут иметь либо дырочную, либо электронную электропроводность. В зависимости от типа электропроводности крайних областей транзистор обладает структурой

 p-n-p или n-p-n.

Транзистор представляет собой систему двух взаимодействующих p-n-переходов. Каждый из этих переходов можно включить в прямом или обратном направлении. При указанных на полярностях источников ЭДС имеем прямое включение эмиттерного перехода и обратное – коллекторного. Такое включение переходов называют нормальным, а режим работы – активным. При этом эмиттер инжектирует в область базы

неосновные для нее носители (дырки), а коллектор производит экстракцию тех носителей (дырок), которые прошли через базовую область к коллекторному переходу. У реальных плоскостных транзисторов площадь коллекторного перехода больше площади эмиттерного.

 Такая конструкция позволяет коллектору собирать даже те неосновные носители, которые перемещаются от эмиттера под некоторым углом к оси транзистора. Площадь эмиттерного перехода определяет активную часть базовой области транзистора.

В транзисторах p-n-p рабочими носителями заряда являются дырки, а в транзисторах n-p-n – электроны. В зависимости от механизма перемещения носителей заряда через область базы ( от эмиттера к коллектору) транзисторы делят на бездрейфовые и дрейфовые. В бездрейфовых перенос неосновных носителей заряда через базу осуществляется в основном посредством диффузии. Такие транзисторы обычно получают сплавной технологией. В дрейфовых перенос неосновных носителей заряда через базу осуществляется в основном посредством дрейфа в электрическом поле. Такие транзисторы обычно получают методом диффузии примесей.