Измерение параметров биполярных транзисторов
Автор: nik kild • Июнь 2, 2019 • Лабораторная работа • 428 Слов (2 Страниц) • 523 Просмотры
[pic 1]
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №3
ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Цели работы:
- ознакомление с программным комплексом для моделирования радиоэлектронных схем Micro Cap;
- освоение методики измерения параметров биполярных транзисторов.
Задание
- Выбрать тип исследуемого транзистора согласно своему варианту.
- Исследовать входные и выходные характеристики транзистора.
- Исследовать статические и динамические режимы работы транзисторного ключа на выбранном транзисторе.
Выполнение
- Измерение характеристик [pic 2], [pic 3] биполярного транзистора BDC01D.
Ток коллектора в режиме насыщения:
[pic 4]
Ток базы выбирается согласно формуле: [pic 6][pic 5]
Рисунок 1 – Схема для проведения измерений
Таблица 1 – Измеренные значения
[pic 7], мА | [pic 8],мкА | [pic 9], мВ | [pic 10] |
9,880 | 1000,0 | 755,6 | 119,2 |
3,300 | 333,3 | 710,1 | 103,1 |
1,980 | 200,0 | 693,2 | 99,7 |
1,415 | 143,0 | 682,8 | 98,3 |
1,111 | 111,0 | 675,4 | 97,6 |
0,900 | 90,9 | 669,5 | 97,2 |
0,760 | 76,9 | 664,8 | 96,95 |
0,661 | 66,7 | 660,7 | 96,77 |
0,495 | 50,0 | 652,7 | 96,615 |
0,396 | 40,0 | 646,5 | 96,609 |
0,330 | 33,3 | 641,5 | 96,703 |
0,283 | 28,6 | 637,3 | 96,76 |
0,248 | 25,0 | 633,7 | 96,915 |
[pic 11]
Рисунок 2 – Входная характеристика транзистора
[pic 12]
Рисунок 3 – Выходная характеристика транзистора
- Измерение выходного сопротивления транзистора[pic 13]
[pic 14]
Рисунок 4 – Схема для измерения входного сопротивления
Ток базы транзистора VT1 был задан постоянной величины, равный 6,171 мА. Выбраны такие значения тока базы, чтобы ток коллектора лежал в пределах от 0,1 до 10 мА. Увеличивая напряжение питания, было измерено приращение тока коллектора [pic 15].
Выходное сопротивление транзистора рассчитано по формуле:
...