Тест по "Цифровому устройству"

ЛАТЫН

F=A+B функциясына сай элементі:   А) ИЛИ;B) НЕМЕСЕ ;C) OR

h11 көрсеткішінің анықтамасы: D) [pic 1];F) кіріс кедергі ; G) кірістегі кернеудің кірістегі токқа қатынасын көрсететін көрсеткіш

h11 параметрінің анықтамасын еөрсетіеіз? h11=[pic 2][pic 3]

h21 тоқ беру коэффициентінің және  транзисторының  схемадағы жалпы эмиттермен қосылғандағы анықтамасы h21=[pic 4][pic 5]

h21 тоқ жіберу коеффициентінде қосылу кезінде транзистордың схема бойынша және жалпы эмиттермен анықтамасын көрсетініз. h21=[pic 6][pic 7]

h22 көрсеткішінің анықтамасы:  C) [pic 8] ;F) кіріс ток тұрақты болған кезде, шығыс токтың шығыс кернеуге қатынасы ;H) шығыс өткізгіштік

h22.параметрінің анықтамасын көрсетіңіз h22=[pic 9] [pic 10]

n-p ауысуының КЗО-ғы (кеңістіктік заряд облысы) көлемді зарядтың өрісінің қалыптасуы:  A) донор және акцептор қоспаларының теңестірілмеген зарядтарымен;D) екі әртүрлі аттас зарядталған қабаттармен ;E) теңестірілген күймен (мұнда диффузиядан болатын негізгі тасымалдаушылардың аз тогы және түйісу өрісінің әсерінен болатын негізгі емес тасымалдаушылардың тогы, бұл токтар бір-бірін теңестіреді).

n-p ауысуының КЗО-ғы (кеңістіктік заряд облысы) ішкі электрлік өрісі: A) болмайды D) КЗО қысқарады, егер оң потенциал p-облысына қосылған болса, онда потенциалдық тосқауыл төмендейді (тура ығысу) E) КЗО қысқарады, егер теріс потенциал n-облысына қосылған болса, онда потенциалдық тосқауыл төмендейді (кері ығысу)

n-p-n типті транзистордың  ОЭ  активті режимімен араласуы қалай?  [pic 11]

p-n ауысудың кері кернеуінің өсуі (модуль бойынша) кезінде тосқауылдық сыйымдылықтың өзгерісі: D) сызықты заң бойынша азаяды ;E) азаяды     H) сол кернеудің модулі бойынша сәйкесінше азаяды

p-n ауысудың мына ерекше қасиеті туннельдік диодтың жұмысында қолданылады: C) туннельдік тесілу; F) теріс дифференциалды кедергісі бар бөліктің болуы ;G) онда электрон қозғалысына кедергі болатын өте тар потенциалды тосқауыл болады, оның вольтамперлік сипаттамасы туннельдеудің квантомеханикалық процесімен анықталады

p-n ауысуының ВАС суреттеуі, бұл:B) [pic 12] ;D) Шокли формуласы      ;E) [pic 13]

«n p» ауысуының КЗОғы (кеңістік заряд облысы) ішкі электрлік өрісі анықталады:КЗО қысқарады, егер теріс....Кзо қысқарады, егер оң....

«n-p» ауысуының кеңістиік заряд облысындағы (КЗО) ішкі электрлік өрісі:КЗО қысқарады, егер оң потенциал «p»  облысына қосылған болса.Кеңістік заряд облысының потенциалы азайып тоғы нөлге тең болады

«pnp» текті екі электрондыкемтіктік ауысуы бар, құрылымдық сұлба:  биполярлық транзистор  екі диодта нобайланатын аспап  база тоғымен басқарылатын аспап

p-n ауысыдағы тура ток: В)[pic 14][pic 15] Д) )[pic 16][pic 17] Е)[pic 18][pic 19]

Rk шамасын үлкейткенде, сұлбадағы өзгеріс:тоқ кернеу және қуат бойынша күшейту коэффициенті үлкейеді

p-n өткізгіштің кері қосылу кезіндегі бағыты қандай?   Артады

p-n-p с ОБ және Jэ>0 типті транзистордың кіріс кезіндегі характеристикасын көрсетініз [pic 20]

R1 шамасын үлкейткенде, сұлбадағы өзгеріс:   [pic 21]   E) транзистордың жұмыс нүктесінің ығысуы азаяды  ;F) база тогы азаяды  ; G) кіріс тогының бастапқы мәндері азаяды

R2 шамасын үлкейткенде, сұлбадағы өзгеріс:   [pic 22] D) транзистордың жұмыс нүктесінің ығысуы үлкейеді ;F) база тогының бастапқы мәндері үлкейеді ;G) база тогы өсе бастайды

Rк резисторын тұйықтап қойғанда, күшейткіштің күшейту коэффициентінің өзгеруі:[pic 23]  A) күшейткіштің күшейту коэффициенті нөлге тең болады;F) Kp=0  ;G) Ku=0