Контрольная работа по "Основам схемотехники"
Автор: darstamyan • Февраль 15, 2018 • Контрольная работа • 1,248 Слов (5 Страниц) • 784 Просмотры
Федеральное агентство связи
Сибирский Государственный Университет Телекоммуникаций и Информатики
Межрегиональный центр переподготовки специалистов
Контрольная работа
Основы схемотехники
Вариант 10
Выполнила:
Группа:
Проверил: ___________________
Новосибирск, 2010
Задача № 1. Начертить принципиальную схему однотактного резисторного каскада предварительного усиления на БТ, включенном по схеме с ОЭ с эмитерной стабилизацией точки покоя. Рассчитать параметры элементов схемы, режим работы каскада по постоянному току, коэффициент усиления в области средних частот, входные параметры каскада и амплитуду входного сигнала.
1. Исходные данные для расчетов приведены в таблицах 1 и 2.
Таблица 1.
Технические данные | Номер варианта |
1 | |
Марка транзистора | КТ315А |
Амплитуда сигнала на нагрузке, UmН, В | 1,2 |
Относительный коэффициент усиления на верхней рабочей частоте fВ, YВ, раз | 0,95 |
Относительный коэффициент усиления на нижней рабочей частоте fН, YН, раз | 0,8 |
Емкость нагрузки, СН, пФ | 20 |
Сопротивление нагрузки, RН, кОм | 100 |
Верхняя рабочая частота, fВ, МГц | 3,0 |
Нижняя рабочая частота, fН, Гц | 50 |
Внутреннее сопротивление источника сигнала, RИСТ, Ом | 100 |
Таблица 2.
Тип транзистора | Параметры транзисторов | Структура транзистора | ||||||
h21ЭМИН | h21ЭМАКС | rББ, Ом | UК.МАКС, В | РК.МАКС, мВт | fТ, МГц | СК, пФ | ||
KT315A | 30 | 120 | 40 | 20 | 150 | 270 | 7 | n-p-n |
2. Начертить принципиальную схему однотактного резисторного каскада предварительного усиления на БТ, включенном по схеме с ОЭ с эмитерной стабилизацией точки покоя.
[pic 1]
3. Рассчитывается общая нагружающая каскад емкость [2]
С0.ВЫХ = СВЫХ.VT + СМ + СН,
где СВЫХ.VT – выходная емкость транзистора, которую можно принять приблизительно равной емкости коллекторного перехода СК (см. таблицу 2);
СМ – емкость монтажа, которую можно взять примерно равной 5 пФ.
С0.ВЫХ = 7∙10-12 + 5∙10-12 + 20∙10-12 = 32∙10-12 = 32 пФ
4. Находится эквивалентное сопротивление выходной цепи каскада в области верхних частот с учетом заданного относительного коэффициента усиления YВ на верхней частоте [2]
[pic 2]
5. Затем из соотношения [2]
[pic 3]
в котором можно пренебречь влиянием большого выходного сопротивления RВЫХ. VT транзистора VT, находят RК
[pic 4]
6. Определяется амплитуда тока в нагрузке ImН и ток покоя транзистора iК0
Im.Н = Um.Н / RЭВ = 1,2/380 = 0,003158 = 3,158 мА;
iК0 = (2…2,5)Im.Н = 2,5∙3,158∙10-3 = 7,895 мА.
7. Напряжение покоя UКО должно быть в несколько раз больше амплитуды сигнала. По условию Um.Н < 2В. Поэтому удобно принять UК0 = 5В (при этом напряжении обычно измеряются параметры транзисторов).
8. Расчет элементов схемы эмиттерной стабилизации тока покоя начинается с определения величин токов базы iБ0 и делителя iД.
Постоянный ток базы (ток смещения)
[pic 5]
iБ0 = iК0 / h21Э = 7,895∙10-3 /60 = 132∙10-6 = 132 мкА,
...