Essays.club - Получите бесплатные рефераты, курсовые работы и научные статьи
Поиск

Контрольная работа по "Основам схемотехники"

Автор:   •  Февраль 15, 2018  •  Контрольная работа  •  1,248 Слов (5 Страниц)  •  361 Просмотры

Страница 1 из 5

Федеральное агентство связи

Сибирский Государственный Университет Телекоммуникаций и Информатики

Межрегиональный центр переподготовки специалистов

Контрольная работа

Основы схемотехники

Вариант 10

 

Выполнила:

Группа:     

Проверил: ___________________

Новосибирск, 2010

Задача № 1. Начертить принципиальную схему однотактного резисторного каскада предварительного усиления на БТ, включенном по схеме с ОЭ с эмитерной стабилизацией точки покоя. Рассчитать параметры элементов схемы, режим работы каскада по постоянному току, коэффициент усиления в области средних частот, входные параметры каскада и амплитуду входного сигнала. 

1. Исходные данные для расчетов приведены в таблицах 1 и 2.

Таблица 1.

Технические данные

Номер варианта

1

Марка транзистора

КТ315А

Амплитуда сигнала на нагрузке, U, В

1,2

Относительный коэффициент усиления на верхней рабочей частоте fВ, YВ, раз

0,95

Относительный коэффициент усиления на нижней рабочей частоте fН, YН, раз

0,8

Емкость нагрузки, СН, пФ

20

Сопротивление нагрузки, RН, кОм

100

Верхняя рабочая частота, fВ, МГц

3,0

Нижняя рабочая частота, fН, Гц

50

Внутреннее сопротивление источника сигнала, RИСТ, Ом

100

Таблица 2.

Тип транзистора

Параметры транзисторов

Структура транзистора

h21ЭМИН

h21ЭМАКС

rББ, Ом

UК.МАКС, В

РК.МАКС, мВт

fТ, МГц

СК, пФ

KT315A

30

120

40

20

150

270

7

n-p-n

2. Начертить принципиальную схему однотактного резисторного каскада предварительного усиления на БТ, включенном по схеме с ОЭ с эмитерной стабилизацией точки покоя.

[pic 1]

3. Рассчитывается общая нагружающая каскад емкость [2]

С0.ВЫХ = СВЫХ.VT + СМ + СН,

где СВЫХ.VT – выходная емкость транзистора, которую можно принять приблизительно равной емкости коллекторного перехода  СК (см. таблицу 2);

СМ – емкость монтажа, которую можно взять примерно равной 5 пФ.

С0.ВЫХ = 7∙10-12 + 5∙10-12 + 20∙10-12 = 32∙10-12 = 32 пФ

4. Находится эквивалентное сопротивление выходной цепи каскада в области верхних частот с учетом заданного относительного коэффициента усиления YВ на верхней частоте [2]

[pic 2]

5. Затем из соотношения [2]

[pic 3]

в котором можно пренебречь влиянием большого выходного сопротивления RВЫХ. VT транзистора VT, находят RК

[pic 4]

6. Определяется амплитуда тока в нагрузке I и ток покоя транзистора iК0

Im.Н = Um.Н / RЭВ = 1,2/380 = 0,003158 = 3,158 мА;   

iК0 = (2…2,5)Im.Н = 2,5∙3,158∙10-3 = 7,895 мА.

7. Напряжение покоя UКО должно быть в несколько раз больше амплитуды сигнала. По условию Um.Н < 2В. Поэтому удобно принять UК0 = 5В (при этом напряжении обычно измеряются параметры транзисторов).

8. Расчет элементов схемы эмиттерной стабилизации тока покоя начинается с определения величин токов базы iБ0 и делителя iД.

Постоянный ток базы (ток смещения)

[pic 5]

iБ0 = iК0 / h21Э = 7,895∙10-3 /60 = 132∙10-6 = 132 мкА,

...

Скачать:   txt (16.2 Kb)   pdf (411 Kb)   docx (100.6 Kb)  
Продолжить читать еще 4 страниц(ы) »
Доступно только на Essays.club