Исследование электромагнитного поля элементарных излучателей
Автор: elenabogdanova • Ноябрь 13, 2021 • Лабораторная работа • 1,723 Слов (7 Страниц) • 356 Просмотры
Московский технический университет связи и информатики
Кафедра технической электродинамики и антенн
Лабораторная работа № 1
ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ПОЛЯ
ЭЛЕМЕНТАРНЫХ ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ
Москва 2011
План УМД 2010/11 уч. г.
Лабораторная работа № 1
ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ПОЛЯ
ЭЛЕМЕНТАРНЫХ ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ
Составитель Т.А.Гайнутдинов, А.А.Пресс
Издание утверждено советом факультета РиТ.
Протокол № от .2011 г.
Рецензент В. Г. Кочержевский
1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Изучение электромагнитных полей, создаваемых элементарными излучателями в виде электрического вибратора и рамки.
2. УКАЗАНИЯ ПО ПОДГОТОВКЕ К РАБОТЕ
2.1. Изучить свойства электромагнитного поля элементарного электрического вибратора.
2.2. Изучить принцип перестановочной двойственности уравнений Максвелла.
2.3. Изучить свойства электромагнитного поля элементарной рамки.
2.4. Изучить влияние расположения элементарных излучателей на ориентацию в пространстве вектора напряжённости электрического поля.
2.5. Изучить содержание данного описания и ответить на контрольные вопросы.
3.ЗАДАНИЕ К РАСЧЁТНОЙ ЧАСТИ
(выполняется при домашней подготовке)
3.1. Рассчитать и построить зависимость амплитуд составляющих электрического поля [pic 1]и [pic 2] от расстояния r для электрического вибратора. Расчёт провести для расстояний r от 0,2 λ, до 2,0 λ, при [pic 3] для [pic 4]и [pic 5] для [pic 6].
3.2. Рассчитать и построить зависимость амплитуд составляющих электрического поля [pic 7]и [pic 8] от угла θ для электрического вибратора при [pic 9].
3.3. Рассчитать и построить зависимость амплитуды электрического поля рамки [pic 10] от расстояния r в соответствии с п. 1 при [pic 11].
3.4. Рассчитать и построить зависимость амплитуды электрического поля рамки [pic 12] от угла θ в соответствии с п. 2.
Расчёт проводится для частот, указанных в таблице 1. Номер варианта совпадает с порядковым номером студента в групповом журнале.
Таблица 1
№ варианта | f, МГц | № варианта | f, МГц |
1 | 300 | 16 | 675 |
2 | 325 | 17 | 700 |
3 | 350 | 18 | 725 |
4 | 375 | 19 | 750 |
5 | 400 | 20 | 775 |
6 | 425 | 21 | 800 |
7 | 450 | 22 | 825 |
8 | 475 | 23 | 850 |
9 | 500 | 24 | 875 |
10 | 525 | 25 | 900 |
11 | 550 | 26 | 925 |
12 | 575 | 27 | 950 |
13 | 600 | 28 | 975 |
14 | 625 | 29 | 1000 |
15 | 650 | 30 | 1100 |
Зависимость амплитуд составляющих электрического поля от расстояния r рассчитывается по формулам (1), (2) и (3) Приложения, с шагом 0,1 λ, при r меняющемся от 0,2 λ до 5 λ с шагом 0,5 λ. Рассчитанные значения нормируются к максимальному при [pic 13] и строятся в прямоугольной системе координат.
...