Общие принципы усиления переменного напряжения и тока
Автор: Арсений Король • Декабрь 24, 2021 • Реферат • 2,013 Слов (9 Страниц) • 265 Просмотры
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ
ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ
Санкт-Петербургский государственный университет
промышленных технологий и дизайна
Высшая школа печати и медиатехнологий
КАФЕДРА ПОЛИГРАФИЧЕСКОГО
ОБОРУДОВАНИЯ И УПРАВЛЕНИЯ
РЕФЕРАТИВНАЯ РАБОТА №1
По теме «Общие принципы усиления переменного напряжения и тока»
Выполнил студент группы 3- ТИДА -2
Король А.О.
Зачетная книжка №
ПРОВЕРИЛ:
Щаденко А.А.
____________________________
(подпись, дата)
Санкт-Петербург
2021
Содержание
Содержание 2
Основная часть 3
Биполярный транзистор 3
Схемы включения биполярных транзисторов 5
Параметры и характеристики биполярных транзисторов 6
Статические характеристики 6
Динамические характеристики 7
Параметры биполярных транзисторов 8
Полевые (униполярные) транзисторы 10
Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом 10
Полевые транзисторы с изолированным затвором 10
Схемы включения полевых транзисторов 12
Параметры и характеристики полевых транзисторов 13
Статические характеристики 13
Динамические характеристики 14
Параметры полевых транзисторов 15
Список использованных источников 17
Основная часть
Транзистор – электронный прибор, основанный на технологии полупроводников, задачей которого является управление током в цепи двух электродов, посредством третьего. Основной областью применения является усиление слабого сигнала за счет использования дополнительного источника питания. Существует два подвида транзисторов – полевой и биполярный.
Биполярный транзистор
Механизм работы биполярного транзистора основан на использовании таких явлений как инжекция и экстракция неосновных носителей заряда.
Инжекция – ввод неосновных носителей заряда под действием прямого напряжения.
Экстракция – вывод неосновных носителей заряда под действием обратного напряжения.
В отличие от полевого транзистора, в биполярном, исходя из названия, в переносе участвуют и электроны, и дырки. Биполярные транзисторы принято разделять на две категории: n-p-n и p-n-p-биполярные, в зависимости от чередования в них полупроводниковых слоёв. Принципиальных различий в принципах их работ нет, поэтому рассмотрим его на примере транзистора n-p-n типа.
В биполярных транзисторах существует три выхода:
База – слаболегированная область, располагающаяся, между p-n переходами транзистора. Соответствующие p-n переходы называются коллекторными и эмиттерными.
Коллектор – прилегающая к базе область, задача которой состоит в экстракции носителей зарядов из базы.
Эмиттер – вторая прилегающая к базе область, задача которой состоит в инжекции носителей зарядов в базу.
Принцип действия состоит в следующем: между эмиттером и коллектором течет сильный ток, а между эмиттером и базой более слабый, управляющий ток. Сильный коллекторный ток будет изменять в соответствии с изменением с управляющего тока базы. В активном режиме работы транзистора p-n переход эмиттер-база подключается с прямым смещением, а p-n переход база-коллектор с обратным. Так как первый переход открыт, то электроны переходят в базу, где частично рекомбинируются с дырками, но их большая часть переходит до второго перехода из-за слабой легированности базы, и ее малой толщины. Поскольку электроны не являются основными носителями заряда в базе, то электрическое поле перехода помогает им его преодолеть, и ток коллектора получится лишь незначительно слабее тока эмиттера, и, если мы увеличиваем ток базы, переход эмиттер-база откроется сильнее, что позволит большему количеству электронов пройти. А так как ток коллектора изначально был больше, чем ток базы, то изменение будет достаточно большим, т.е. произойдет усиление слабого сигнала, поступившего в базу.
...