Essays.club - Получите бесплатные рефераты, курсовые работы и научные статьи
Поиск

Анализ топологии и расчет конструктивных параметров МДП- транзистора

Автор:   •  Май 5, 2024  •  Курсовая работа  •  1,241 Слов (5 Страниц)  •  57 Просмотры

Страница 1 из 5

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

«ЛЭТИ» ИМ. В.И. УЛЬЯНОВА (ЛЕНИНА)

Кафедра микро- и наноэлектроники

КУРСОВАЯ РАБОТА

по дисциплине «Элементная база наноэлектроники»

Тема: Анализ топологии и расчет конструктивных параметров МДП- транзистора

Студент гр. 1361

         

Ломако С.С.

Преподаватель

         

Трушлякова В.В.

Санкт-Петербург 2023

ЗАДАНИЕ НА КУРСОВУЮ РАБОТУ

Студент Ломако Сергей Сергеевич Группа 1361

Тема работы: Анализ топологии и расчет конструктивных параметров МДП- транзистора

Исходные данные:

[pic 1]

Рисунок 1 — Изображение топологии логического элемента Минимальный размер топологии 3 мкм.

Работа выполняется в соответствии с индивидуальным заданием. Вариант задания определятся руководителем курсовой работы. Курсовая работа включает пояснительную записку и графическую часть. Пояснительная записка и графическая часть работы оформляются согласно стандарту на оформление научно-технической документации.

Содержание пояснительной записки:

Содержание, введение, анализ изображения топологии логического элемента, расчет конструктивных параметров МДП-транзисторов, расчет электрических параметров МДП-транзисторов, построение стоковой и сток-затворной характеристик транзисторов, восстановление электрической схемы, моделирование работы электрической схемы и определение ее таблицы истинности, заключение, список использованных источников.

Предполагаемый объем пояснительной записки: Не менее 15 страниц.

Дата выдачи задания: 09.10.2023 Дата сдачи реферата: 08.12.2023 Дата защиты реферата: 08.12.2023

Студент

         

Ломако С.С.

Преподаватель

         

Трушлякова В.В.

АННОТАЦИЯ

Содержание курсовой работы состоит в анализе изображения топологии логического элемента; расчете конструктивных электрических параметров МДП-транзисторов; построении характеристики транзисторов; восстановление электрической схемы и моделирование электрической схемы, и определение ее таблицы истинности. Для проведения исследований будет использоваться среда конструирования цифровых и аналоговых электронных схем National Instruments Multisim 14.3.

SUMMARY

The content of the course work consists in analyzing the image of the topology of the logic element; calculating the constructive electrical parameters of the TIR transistors; constructing the characteristics of the transistors; restoring the electrical circuit and modeling the operation of the electrical circuit and determining its truth table. The National Instruments Multisim 14.3 digital and analog electronic circuit design environment will be used for research.

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ        6

Анализ топологии и расчет конструктивных параметров МДП-транзисторов 7 Расчет электрических параметров транзисторов и построение их характеристик        7

Построение характеристики транзисторов        9

Восстановление электрической схемы и ее моделирование        16

ЗАКЛЮЧЕНИЕ        20

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ        21

ВВЕДЕНИЕ

Основной задачей курсовой работы по дисциплине «элементная база наноэлектроники» является приобретение навыков самостоятельного инженерного и конструкторского расчета элементов интегральных схем на униполярных транзисторах. При проектировании интегральных схем особое внимание уделяется расчету, анализу и топологии МДП-структур.

...

Скачать:   txt (15 Kb)   pdf (1.2 Mb)   docx (1.4 Mb)  
Продолжить читать еще 4 страниц(ы) »
Доступно только на Essays.club