Методика измерений основных параметров и характеристик аналоговых электронных устройств

Министерство образования Республики Беларусь

Учреждение образования

«Белорусский Государственный университет информатики и радиоэлектроники»

       Кафедра радиотехнических устройств

ОТЧЁТ

ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №1

МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЙ ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРОВ И ХАРАКТЕРИСТИК АНАЛОГОВЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ

Проверил:                                                                             Выполнили:

Преподаватель:                                                                  

Крушев В.Т.                                                                                                      

Минск 2014

1. Цель работы

Изучить и освоить практически методы измерения основных показателей АЭУ.

2)  Подготовка к работе

[pic 1]

Рис. 1. Схема исследуемого усилителя

        Напряжение питания E0=15 В.

        Напряжение база-эмиттер транзисторов Uбэ=(0,6 - 0,7) В.

        Для расчета примем Uбэ=0,7 В.

        Из условия задания  Iб=0 А, а токи коллектора и эмиттера равны Iэ = Iк.

        Токи транзисторов VТ1 = VТ2 .

        Найдем потенциалы в точках 1-8.

        Зная входное напряжение Е0 = 15 , получаем [pic 2]

        Зная напряжение Uбэ=0,7 В, получаем:

        ;[pic 3]

        , т.к. в ветви 2 резистора с одинаковым сопротивлением, поэтому напряжение уменьшится в 2 раза;[pic 4]

          , т.к. происходит падение напряжения на транзисторе;[pic 5]

        , т.к. из условия I5 = 0 A следует, что падения напряжения на R7 не будет, в результате чего получаем ;[pic 6][pic 7]

        Зная, что потенциал в земле равен нулю, то получим:

        ;[pic 8]

        ;[pic 9]

        Зная напряжение в ветви с резистором , найдем ток в этой ветви:[pic 10]

        , т.к. Iб=0 А, то I = Iк3 = Iэ3 = 1,03 мА;[pic 11]

        Зная, что VT1 = VT2, то если воспользоваться законом Кирхгофа, получим:

        , то  → ;[pic 12][pic 13][pic 14]

        Зная , найдем :[pic 15][pic 16]

        [pic 17]

3)  Экспериментальная часть

Таблица 1. Постоянные напряжения в контрольных точках

        Из полученных экспериментальных данных найдем значения Iк, Uкэ, Pк.

Iк3 = (U3-0)/R5 = (0,723 - 0)/680 = 0,00106 А =1,06 мА.

Iк1 = Iк2 = Iк3/2 = 1,06/2 = 0,53 мА.

Iк4 = Iк5 = (U6 – U7)/R8 = (6,7 - 1,438)/4700 = 0,001132 А = 1,119 мА.

        Найдем напряжения Uкэ всех транзисторов.

Uкэ1 = U4 – U2 = 14,44 - 5,93 = 8,51 В.

Uкэ2 = U8 – U2 = 15,1 - 5,93 = 9,17 В.

Uкэ3 = U2 – U3 = 5,93 - 0,723 = 5,207 В.

Uкэ4 = U8 – U6 = 15,1 - 6,7 = 8,4 В.

Uкэ5 = U7 - 0 = 1,438 В.

        Рассчитаем мощность, рассеиваемую на коллекторе каждого транзистора по формуле: Pк = Iк × Uкэ