Индивидуальное задание по «Схемотехнике аналоговых устройств»

Министерство науки и высшего образования

Российской Федерации

Федеральное государственное бюджетное образовательное

учреждение высшего образования

ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР)

Кафедра радиотехнических систем (РТС)

Индивидуальное задание по дисциплине

«Схемотехника аналоговых устройств»

Студент гр.127-1

__________  

Проверил

Доцент кафедры РТС, к.т.н.

___________ Шарыгина Л.И.

_______________

«__» _________ 2019 г.

Томск 2019

Техническое задание

Исходные данные:

• Rн = 100 Ом;
• Uвых = 4 В .

Выберите транзистор, его рабочую точку и сопротивление в цепи коллектора таким образом, чтобы потребление мощности от источника питания было минимальным.

Постройте динамические характеристики (выходную, входную и сквозную) при Rс = 0,5 Rн, если Rн > 1 кОм, и Rс = Rн, если Rн меньше или

равно 1 кОм, покажите на характеристиках входные и выходные токи и

напряжения в рабочей точке. Определите параметры транзистора в рабочей точке. По динамическим характеристикам определите коэффициент усиления и сравните его с расчётным. Предварительно покажите на характеристиках, как обеспечено заданное выходное напряжение.

Рассчитайте схемы питания фиксированным током базы и коллекторной стабилизации и оцените, каким будет уход тока в них. Увеличьте напряжение питания на (3-5) В. Используйте это напряжение для включения сопротивления фильтра (коллекторная стабилизация без обратной связи на переменном токе) или для включения сопротивления эмиттерной стабилизации (при двух значениях токов делителя: Iдел = 3Iоб и Iдел = 10 Iоб). Сравните стабилизирующее действие одного и того же сопротивления, поставленного в коллекторную и эмиттерную цепи.

Сделайте выводы по проделанной работе.

Оглавление

1        Предварительный расчёт        4

2        Динамические характеристики        5

3        Расчёт схем        8

4        Заключение        12

Использованная литература        13

1. Предварительный расчёт

Для выбора транзистора необходимо произвести расчёты его
параметров (Ik0; Uk0; Pрас; E).

Возьмём Rк = Rн = 100 Ом, тогда  50 Ом.[pic 1]

Ток коллектора, с учётом запаса 50 % (чтобы исключить нелинейность на входной характеристике), в рабочей точке будет равен:

[pic 2]

Напряжение коллектора, с учётом отсечки = 2 В, в рабочей точке будет равен:[pic 3]

[pic 4]

Напряжение питания в этом случаи равно, из [1]:

[pic 5]

Потребляемая мощность в вычисленной рабочей точке равна, из [1]:

[pic 6]

Рассеиваемая мощность на коллекторе, из [1]:

[pic 7]

По полученным данным подберём транзистор, исходя из следующих условий:

[pic 8]

Заданным параметрам соответствует транзистор КТ610А, из [2].

[pic 9]

Транзистор КТ610А кремниевый, n-p-n типа, средней мощности, высокочастотный.

1. Динамические характеристики

Для построения нагрузочной прямой постоянного тока, из [1]:

[pic 10]

При: 1) , значит ;[pic 11][pic 12]