Библиотека проектирования аналоговых микросхем
Автор: fokino1994 • Июнь 7, 2019 • Отчет по практике • 1,252 Слов (6 Страниц) • 376 Просмотры
ОТЧЕТ
по преддипломной практике
Выполнил
(группа)
______________
(подпись практиканта)
Руководитель
_______________
________
(подпись)
Отчет защищен с оценкой: ____________
Дата защиты «___» __________20__ г.
Н.Новгород, 2017 год
[pic 1][pic 2]
Содержание
- Введение 3
- Основная часть отчета 4
- Заключение 6
- Список использованных источников и литературы 7
Введение
1.Компетенции, формируемые в результате прохождения практики:
ПК – 4, ПК – 5, ПК – 6, ПК – 7.
2.Индивидуальное задание на практику
Разработка библиотеки элементов для проектирования спецстойких аналоговых микросхем.
4.Время прохождения практики
Дата начала практики «16» января 2017 г.
Дата окончания практики «29» января 2017 г.
5.Должность на практике
Практикант
Основная часть отчета
- Календарный график прохождения практики
Даты | Объект практики | Краткое содержание выполненной работы |
с 16.01.17 по 26.01.17 | Библиотека элементов для проектирования аналоговых микросхем | Обзор литературы по заданной тематике. Описание основных видов МОП транзисторов |
с 27.01.17 по 29.01.17 | Написание отчета. |
2. В ходе практики было рассмотрено несколько конструкций МОП транзисторов. Далее описаны основные виды Моп транзисторов с их достоинствами и надостатками.
При переходе от КМОП СБИС на объемном кремнии на КНИ структуры широкое применение получили плотноупакованные N-канальные транзисторы F-типа (floating body). Топология такого транзистора с STI-изоляцией (shallow trench isolation) показана на рисунке 1.
[pic 3]
Рисунок 1 – Топология N-канального транзистора F-типа.
Такой транзистор имеет наименьшую площадь, что очень важно для создания СБИС КНИ высокой степени интеграции. Однако, применение такого транзистора ограничено СБИС КНИ общего назначения. Это обусловлено отсутствием контакта к подложке, что приводит к следующим недостаткам данного транзистора:
- низким значениям пробивного напряжения стока;
- нелинейности вольтамперных характеристик, вызванной понижением порогового напряжения из-за эффекта размножения носителей на стоковом переходе;
- значительным увеличением тока утечки стокового перехода при спецвоздействиях из-за отсутствия какой-либо охраны.
Нелинейность вольтамперных характеристик часто приводит к ошибкам при проектировании СБИС КНИ из-за существенной разницы во временах включения и выключения такого транзистора.
Наиболее близким техническим решением к заявленному является способ изготовления N-канальных транзисторов А-типа. Топология транзистора показана на рисунке 2.
[pic 4]
Рисунок 2 – Топология N-канального транзистора А-типа.
...