Статистический анализ процесса диффузии цинка и кадмия для использования в технологии производства p-i-n-фотодиодов на основе гетерострукт

Федеральное государственное бюджетное образовательное

учреждение высшего образования

«Национальный исследовательский университет «МЭИ»

ОТЧЕТ по практике

СТУДЕНТ

ПРОМЕЖУТОЧНАЯ АТТЕСТАЦИЯ ПО ПРАКТИКЕ

Москва

2022[pic 2]

Национальный Исследовательский Университет «МЭИ»

Институт тепловой и атомной энергетики

Кафедра низких температур

Отчет о научно-исследовательской работе

по теме: Статистический анализ процесса диффузии цинка и кадмия для использования в технологии производства p-i-n-фотодиодов на основе гетероструктур InGaAs/InP

Осенний семестр 2022/2023 учебного года

Группа:

 ТФ-14м-22

Студент:

 Степаев Алексей Сергеевич

Научный руководитель:

Михайлова Инна Александровна

Москва 2022[pic 3][pic 4]

Оглавление

Введение        3

1. Основные физико-химические свойства и области применения фотодиодов        5

1.1 Функционирование р-i-n-фотодиодов        5

1.2. Характеристики p-i-n-фотодиодов на основе гетероструктур InXGaXAs1-YPY/InP        9

2. Диффузия легирующих примесей в соединения AIIIBV. Методы и методики измерения        14

2.1. Методы диффузии        15

2.1.1. Безампульная диффузия        15

2.1.2. Ампульная диффузия        17

2.2 Локальная диффузия        19

2.3 Диффузант Zn3P2        20

2.4. Диффузант Cd3P2        22

2.5 Методика измерения диффузии в пластинах InP        24

3. Статистические инструменты и методы для управления качеством выпускаемой продукции        29

3.1 Анализ стабильности процессов (контрольные карты)        31

3.2 Классификация контрольных карт        32

3.3 Контрольные карты по количественному признаку        34

Выводы и планы на 2023 год        35