Исследование характеристик биполярного транзистора

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение

высшего образования

«Сибирский государственный университет науки и технологий
имени академика М.Ф. Решетнева»

Институт информатики и телекоммуникаций

Кафедра электронной техники и телекоммуникаций

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №3

по дисциплине «ЭЛЕКТРОНИКА»

на тему:

«ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА»

Выполнил: студент группы БТК 16-01

                                                                                                       Дербень Н.А.

Руководитель: доцент каф. ЭТТ

Сухарев Е.Н.

ЦЕЛЬ РАБОТЫ

Целью работы является:

• получение передаточной характеристики полевого транзистора в

схеме с общим истоком;

• получение зависимости сопротивления канала полевого транзистора

от напряжения затвор-исток;

• получение семейства выходных характеристик полевого транзистора

в схеме с общим истоком;

• исследование работы транзисторного каскада с общим истоком.

ОПИСАНИЕ ЛАБОРАТОРНОГО СТЕНДА

В состав лабораторного стенда входят:

• базовый лабороторный стенд;
• лабораторный модуль модуль Lab5А для исследования характеристик полевого транзистора типа КП303В

При исследовании характеристик биполярного транзистора используется схема, изображенная на рис.1.1.

[pic 1]

Рис. 1.1. Принципиальная электрическая схема для исследования характеристик полевого транзистора

Задание 1. Получение передаточной характеристики полевого транзистора в схеме с общим истоком

ХОД РАБОТЫ:

1. Установим с помощью ползунковых регуляторов напряжения источников питания стока ЕС равным 5 в.

[pic 2]

Рис. 1.2. – график зависимости выходного тока Ic от входного

напряжения Uзи

1. Измерим показания прибора при значениях:

1)Тока стока IС примерно равным 0,01 мА.

U зи.отс = -1,2 В                 -  напряжение при режиме отсечки

2)Напряжение затвор-исток U ЗИ равным 0 В

Ic ~ 2,82 мА                  - начальное значение Ic

1. На основании полученных данных, вычислим  по формуле (1)

коэффициент К.

k=Ic.нач./(Uзи.отс)^2                        (1)

         =  = 1.958[pic 3][pic 4]

1. Установим значение напряжения затвор-исток UЗИ сначала равным

UЗИ.1 = –0,1 В, а затем равным U ЗИ.2 = +0,1 В.

I С.1  = 2.43 мА

I С.2  = 3,2 мА

1. На основании полученных данных, вычислим  значение крутизны передаточной характеристики полевого транзистора в окрестности точки

U ЗИ =0 по формуле (2)

S=(Ic.2 – Ic.1)/(Uзи.2 – Uзи.1)                (2)

         =  = 3,85[pic 5][pic 6]

Задание 2. Получение зависимости сопротивления канала полевого транзистора от напряжения затвор-исток

ХОД РАБОТЫ:

1. С помощью цифрового элемента управления установим значение напряжения питания коллектора Е С = 5 В.

[pic 7]

Рис. 2.1. – график зависимости сопротивления канала RК  полевого транзистора от напряжения затвор-исток UЗИ .

1. Измерим показания прибора при значениях:

1)Тока стока IС примерно равным 0,01 мА.

R К.макс  =  374,5 кОм

        2) Напряжение затвор-исток U ЗИ равным 0 В

        R К.мин  =  1,5 кОм