Исследование характеристик полевого транзистора
Автор: f4t b0y • Февраль 28, 2023 • Лабораторная работа • 629 Слов (3 Страниц) • 176 Просмотры
ПЕРВОЕ ВЫСШЕЕ ТЕХНИЧЕСКОЕ УЧЕБНОЕ ЗАВЕДЕНИЕ РОССИИ
[pic 1] |
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования
«САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОРНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ»
Кафедра электронных систем
Физические основы электроники
Отчет по
лабораторной работе № 9
«ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА»
Выполнил: студент гр. _________ /./
(подпись) (Ф.И.О.)
Проверил: ________ /
(должность) (подпись) (Ф.И.О.)
Санкт-Петербург
2022
Цель работы: получение передаточной характеристики, зависимости сопротивления канала полевого транзистора от напряжения затвор – исток и семейства выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком.
Задание 1
[pic 2]
Рис. 1. Передаточные характеристики при Ес = 10 В
Задание 2
[pic 3] | [pic 4] | [pic 5] |
1,41 | 1,41 | 0,1 |
1,85 | 1,85 | 1 |
1,98 | 1,98 | 2,5 |
Вычислим значения крутизны передаточной характеристики полевого транзистора
S = [pic 6]
Определить значения удельной крутизны
[pic 7]
Задание 2
Получение зависимости сопротивления канала от напряжения затвор – исток
[pic 8]
Рис. 2. Сопротивление канала
[pic 9] | [pic 10] | [pic 11] |
1,38 | 889,8 | 0,01 |
3 | 0,00293 | 9,21 |
Задание 3
Получение семейства выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком[pic 12]
...