Essays.club - Получите бесплатные рефераты, курсовые работы и научные статьи
Поиск

Основные свойства полупроводниковых выпрямительных диодов и стабилитронов с использованием среды имитационного моделирования электрон

Автор:   •  Декабрь 21, 2022  •  Лабораторная работа  •  1,990 Слов (8 Страниц)  •  202 Просмотры

Страница 1 из 8

Содержание

1.        Цель и задача работы        4

1.1.        Цель работы        4

1.2.        Задачи работы        4

2.        Построение ВАХ диода        5

2.1.        Исходные данные        5

2.2.        Рабочие формулы        5

2.3.        Таблица измерений        5

2.4.        Расчёт        5

2.5.        График        6

2.6.        Анализ результатов        6

3.        Построение ВАХ обратной ветви стабилитрона        7

3.1.        Исходные данные        7

3.2.        Рабочие формулы        7

3.3.        Таблица измерений        7

3.4.        Расчёт        7

3.5.        График        8

3.6.        Анализ результатов        8

4.        Построение схемы параметрического стабилитрона        9

4.1.        Исходные данные        9

4.2.        Рабочие формулы        9

4.3.        Таблица измерений        9

4.4.        Расчёт        10

4.5.        График        10

4.6.        Анализ результатов        10

5.        Построение схемы диодных ограничителей        11

5.1.        Исходные данные        11

5.2.        Анализ результатов        11

6.        Вывод        16

7.        Список литературы        17


  1. Цель и задача работы

  1. Цель работы

Изучить основные свойства полупроводниковых выпрямительных диодов и стабилитронов с использованием среды имитационного моделирования электронных схем "Proteus Professional".

  1. Задачи работы
  1. Экспериментальное построение ВАХ диода.
  2. Экспериментальное построение обратной ветви ВАХ стабилитрона.
  3. Экспериментальное построение схемы параметрического стабилитрона напряжения.
  4. Экспериментальное построение схемы диодных ограничителей.

  1. Построение ВАХ диода
  1. Исходные данные

ID1 <= 25 мА; R1 = 500 Ом; U1 1-10 ϵ [1; 10] В;

[pic 1]

  1. Рабочие формулы

IR = ID1; U1 = UD1 + UR = UD1 + R1 * IR => UD1 = U1 - R1 * ID1;

r∆45 = U∆45 / (I∆45 = (UD15 - UD14) / (ID15 - ID14);

  1. Таблица измерений

U1 (В)

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

ID1 (мА)

0,71

2,64

4,61

6,59

8,58

10,6

12,6

14,5

16,5

18,5

UD1 (мВ)

0,646

0,68

0,695

0,704

0,711

0,716

0,721

0,724

0,728

0,731

  1. Расчёт

UD11 = 1 В - 0,71 мА * 0,5 кОм = 0,645 мВ;

UD12 = 2 В - 2,64 мА * 0,5 кОм = 0,68 мВ;

UD13 = 3 В - 4,61 мА * 0,5 кОм = 0,695 мВ;

UD14 = 4 В - 6,59 мА * 0,5 кОм = 0,705 мВ;

UD15 = 5 В - 8,58 мА * 0,5 кОм = 0,71 мВ;

UD16 = 6 В - 10,6 мА * 0,5 кОм = 0,7 мВ;

UD17 = 7 В - 12,6 мА * 0,5 кОм = 0,7 мВ;

UD18 = 8 В - 14,5 мА * 0,5 кОм = 0,75 мВ;

UD19 = 9 В - 16,5 мА * 0,5 кОм = 0,75 мВ;

UD110 = 10 В - 18,5 мА * 0,5 кОм = 0,75 мВ;

r∆45расч. = (0,71 - 0,705) мВ / (8,58 – 6,59) мА = (0,005 / 1,99) Ом ≈ 2,5 мОм;

r∆45эксп. = (0,711 - 0,704) мВ / (8,58 – 6,59) мА = (0,007 / 1,99) Ом ≈ 3,5 мОм;

...

Скачать:   txt (15 Kb)   pdf (527.4 Kb)   docx (464.4 Kb)  
Продолжить читать еще 7 страниц(ы) »
Доступно только на Essays.club