Расчет параметров активных элементов твердотельной электроники
Автор: Eugenia Karibjanova • Март 27, 2019 • Курсовая работа • 2,109 Слов (9 Страниц) • 508 Просмотры
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ
ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
«ЛЭТИ» ИМ. В.И. УЛЬЯНОВА (ЛЕНИНА)
Кафедра МНЭ
КУРСОВАЯ РАБОТА
по дисциплине «Твердотельная электроника»
Тема: РАСЧЁТ ПАРАМЕТРОВ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ТВЁРДОТЕЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ (Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом)
Студент гр. 5281 | Карибджанова Е.П. | |
Преподаватель | Марасина Л. А. |
Санкт-Петербург
2018
АННОТАЦИЯ
В данной курсовой работе проводится расчёт основных параметров полевого транзистора с управляющим p-n-переходом: рассчитаны геометрические параметры канала транзистора, его ток насыщения, сопротивление при открытом канале, а так же построено семейство выходных статических характеристик и характеристика передачи. Кроме того, было описано назначение, структура и принцип действия полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и приведен диапазон основных параметров реальных приборов.
ANNOTATION
In this course work we calculated the basic parameters of JFET. Geometric parameters of the transistor channel, its saturation current, resistance of an open channel were calculated, and a family of output static characteristics and a transmission characteristic were constructed. In addition, purpose, structure and operating principle of JFET were described and the range of the main parameters of real devices was given.
(Здесь будет задание на курсовую находиться)
[pic 1]
Введение
В полевых транзисторах управление выходным сигналом производится входным напряжением или электрическим полем. В курсовой работе исследованы характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Особенностью полевых транзисторов является то, что напряжение, управляющее шириной канала подается на неизолированный электрод (затвор).
Краткие сведения о полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом
Назначение прибора, структура и принцип действия [2]
Полевые транзисторы - это трехэлектродные полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется изменением проводимости токопроводящего канала путем воздействия электрического поля, поперечного к направлению тока. В транзисторах с управляющим р-n -переходом в качестве затвора используется область, тип электропроводности которой противоположен типу электропроводности канала, в результате чего между затвором и каналом образуется р-n-переход.
При изменении обратного напряжения на управляющем р-n-переходе изменяется его толщина, а следовательно, толщина области, по которой проходит управляемый поток основных носителей заряда. На рис. 1 представлена структурная схема полевого транзистора с одним управляющим p-n-переходом и каналом p-типа. Область в полупроводнике, в которой регулируется поток основных носителей заряда, называют проводящим каналом. Электрод полевого транзистора, через который в проводящий канал входят носители заряда, называют истоком. Электрод полевого транзистора, через который из канала выходят носители заряда, называют стоком. Электрод полевого транзистора, на который подают входной сигнал, называют затвором. Проводящий канал может иметь электропроводность как n-, так и p-типа. Соответственно различают полевые транзисторы с n-каналом и p-каналом.
[pic 2]
Рис. 1. Структурная схема полевого транзистора c одним управляющим p-n-переходом и каналом p-типа
При подаче положительного напряжения на затвор относительно истока (Uзи) и отрицательного напряжения на сток относительно истока (Uси) для p-канального полевого транзистора, ЭДП находится в обратном включении, область p-n-перехода расширяется в сторону канала (рис.2). В результате этого ширина канала и, следовательно, величина тока стока уменьшается.[1]
[pic 3]
Рис. 2. Структурная схема полевого транзистора c управляющим p-n-переходом и каналом p-типа при подаче напряжения на затвор и на сток
...