Полупроводниковые приборы и их разные задачи

Некоммерческое акционерное общество

«АЛМАТИНСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ЭНЕРГЕТИКИ И СВЯЗИ»

Кафедра Телекоммуникационных Систем и Сетей

КУРСОВАЯ РАБОТА

Вариант №04

По дисциплине: «Основы радиоэлектроники и радиоавтоматика»

Специальность: «Космическая техника и технологии»

Выполнил: Болатов Н.С.                           Группа: КТТк-17-1

Приняла: ст.преп. Павлова Т.А.

________ «_____» _____________________ 2019 г

        Алматы, 2019

Оглавление[pic 1]

1.Введение...............................................................................3

2. Задания к работе №1…………………………………...….....4

3. Задания к работе №2...............................................................11

5.Использованная литература....................................................15

[pic 2][pic 3]

Введение

Техника полупроводниковых приборов стала самостоятельной областью электроники. Замена электронных ламп полупроводниковыми приборами успешно осуществлена во многих радиотехнических устройствах.

На всем протяжении развития радиотехники широко применялись кристаллические детекторы, представляющие собой полупроводниковые выпрямители для токов высокой частоты.

Проводимость полупроводника, вызванная движением дырок, называется дырочной или проводимостью типа р (от латинского слова positive — Положительный), в отличие от проводимости типа n (от латинского слова negative — отрицательный), обусловленной движением электронов.

Проводимость полупроводника, возникающая в полупроводнике вследствие нарушения валентных связей, называется собственной проводимостью

В данной курсовой работе мы рассматриваем разные полупроводниковые приборы и их разные задачи.

Задания к работе №1

Задача №1.Контактная разность потенциалов p-n перехода

Полупроводниковая деталь, у которой р-n переход имеет концентрацию донорной примеси Nдатом/см3 и акцепторной примеси – Nа атом/см3, собственная концентрация носителей в полупроводнике –nі. Найти контактную разность потенциалов для р-n перехода при заданной температуре Т .

Дано:

[pic 4]

[pic 5]

[pic 6]

[pic 7]

[pic 8]

[pic 9]

Найти:[pic 10]

[pic 11]

Ответ: [pic 12]

Задача №2. Характеристические сопротивления диода

Обратный ток диода при Т=250 К равен I0. (таблица 3). Определить сопротивление полупроводникового диода постоянному току и его дифференциальное сопротивление при прямом напряжении Uпр(таблица 4)

Дано:

[pic 13]

[pic 14]

=[pic 15][pic 16]

[pic 17]

[pic 18]

Найти:[pic 19]

[pic 20]

[pic 21]

[pic 22]

Ответ: .[pic 23]

Задача №3.Параметры выпрямительного диода

Полупроводниковый диод имеет прямой ток Iпр. при прямом напряжении Uпр. и температуре Т. Определить обратный ток I0, дифференциальное сопротивление rдиф. при напряжении U = U1 и при U = 0

Дано:

[pic 24]

[pic 25]

[pic 26]

[pic 27]

[pic 28]

Найти:

[pic 29]

[pic 30]

Решение:

[pic 31]

[pic 32]

[pic 33]

При [pic 34]

[pic 35]

При [pic 36]

[pic 37]

[pic 38]

[pic 39]

[pic 40]

При [pic 41]

[pic 42]

При [pic 43]

[pic 44]

Ответ:, При ,При [pic 45][pic 46][pic 47]

Задача №4.Параметрический стабилизатор напряжения

В схеме параметрического стабилизатора напряжения сопротивление нагрузки Rн. Данные стабилитрона:

Uст- напряжение стабилизации,

Iст.макс.- максимальный ток стабилизации,

Iстмин.- минимальный ток стабилизации (таблица 7).

Входное напряжение изменяется от Uвхмин. до Uвхмакс. (таблица 8). Привести схему стабилизатора, вольт-амперную характеристику стабилитрона и линию нагрузки на ней. Найти балластное сопротивление Rб. Определить, будет ли обеспечена стабилизация во всем диапазоне изменения Uвх..В справочнике найти похожий стабилитрон, привести схему, проанализировать ВАХ.