Конструирование охлаждаемого фоторезистора для средней ИК области
Автор: Ayan TuT • Март 29, 2022 • Курсовая работа • 3,371 Слов (14 Страниц) • 202 Просмотры
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральное государственное бюджетное образовательное
учреждение высшего образования
ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР)
Кафедра физической электроники (ФЭ)
КОНСТРУИРОВАНИЕ ОХЛАЖДАЕМОГО ФОТОРЕЗИСТОРА ДЛЯ
СРЕДНЕЙ ИК ОБЛАСТИ
Курсовая работа по дисциплине «Основы фотоники»
Студент гр. 348-1
____________ А.С Мырзахметов
«___»___________ 2021 г.
Руководитель
д-р техн. наук, профессор каф. ФЭ
________ ____________ С.В. Смирнов
оценка
«___»__________ 2021 г.
Томск 2021
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральное государственное бюджетное образовательное
учреждение высшего образования
ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР)
Кафедра физической электроники (ФЭ)
ЗАДАНИЕ
на курсовую работу по дисциплине «Основы фотоники»
Студенту __________________________________________________________ группы ____________ факультета _____________________________________
1. Тема работы: [pic 1]
[pic 2]
2. Исходные данные к работе:
1) [pic 3]
2) [pic 4]
[pic 5]
3. Содержание пояснительной записки (перечень подлежащих разработке вопросов):
1) [pic 6]
2) [pic 7]
3) [pic 8]
4. Перечень графического материала (с точным указанием обязательных чертежей):
1) [pic 9]
2) [pic 10]
Дата выдачи задания « » 2021 г.[pic 11][pic 12]
Руководитель С.В. Смирнов, д-р техн. наук, профессор каф. ФЭ[pic 13]
Срок сдачи студентом законченного отчета « » 2021 г.[pic 14][pic 15]
Задание принял к исполнению « » 2021 г.[pic 16][pic 17][pic 18]
(подпись студента)
СОДЕРЖАНИЕ
1 Введение……………………………………………………………….………...4
2 Фоторезиторы………………….…………………………………….…………..6
2.1 Принцип работы прибора …………………..………………....…………6
2.2 Основные параметры прибора…………….….…..…….…....…………..8
2.3 Неохлаждаемы фоторезисторы ………….….…..…….…....…………..10
2.4 Охлаждение фоторезисторы……………..……...……….….………….12
3 Расчеты основных элементов прибора по исходным данным ………………15
4 Конструктивное охлаждение модели фоторезистора…………………….….19
5 Заключение …………………………………………………………….………22
Список использованных источников и литературы .…...………….…………..23
1 ВВЕДЕНИЕ
Фотоэлектрические приемники лучистой энергии — это приборы для обнаружения и измерения электромагнитного излучения, основанные на фотоэффекте. Данный тип приборов находит широкое применение в различных областях техники и в особенности для научных исследований.
Начало создания фоторезисторов как приемников излучения относится к 1917 г., тогда были выпущены первые сернисто-таллиевые фоторезисторы. Дальнейшему развитию фоторезисторов способствовала возможность использования инфракрасного излучения в военных целях. В 1940 г. были получены первые сведения о фотопроводимости в PbS и PbSe [1]. Последующие исследования привели к созданию сернисто-свинцовых фоторезисторов, использованных Германией в конце второй мировой войны для обнаружения военных объектов[2]. С этого момента начинается быстрое развитие фоторезисторов, нашедших применение не только в военной технике, но и в различных областях народного хозяйства.
...