Тест по "Физике"

1.Питома провідність напівпровідників

σ = 102...10-8 См/м 

σ < 10-12 См/м,

σ = 103 ... 104 См/м

2.Сукупнiсть енергетичних рiвнiв, якi виникають при зближеннi атомiв, називається

забороненою зоною

енергетичною зоною

валентною зоною

3.Щоб отримати напівпровідник з електронною провідністю необхідно в чотиривалентний напiвпровiдник ввести 

Ga 

Sb

In 

4.

Щоб отримати напівпровідник з дірковою провідністю необхідно в чотиривалентний напiвпровiдник ввести 

Cu

Sb

In 

5.

Причиною виникнення дрейфового струму є

(1 бал)

наявність електричного поля

різниця концентрації домішок

більша рухливість одних з носіїв

6.

Причиною виникнення дифузійного струму є

(1 бал)

наявність електричного поля

різниця концентрації домішок

більша рухливість одних з носіїв

7.

Електронно-дірковий перехід це

(1 бал)

перехід між металом і напівпровідником

між діелектриком і металом

між двома напівпровідниками різної провідності

8.

Область об’ємного заряду утворюється якщо 

(1 бал)

концентрацiя вiльних носiїв в p-n-перехiді мала

концентрацiя вiльних носiїв в p-n-перехiді велика

концентрацiя вiльних носiїв в p-n-перехiді середня

9.

Пряме включення р-n переходу це коли 

(1 бал)

+ прикладено до р області напівпровідника, - доnобласті

- прикладено до р області напівпровідника, + доnобласті

+ прикладено до обох областей напівпровідника

-прикладено до обох областей напівпровідника

10.

Зворотне включення р-n переходу це коли

(1 бал)

+ прикладено до р області напівпровідника, - доnобласті

- прикладено до р області напівпровідника, + доnобласті

+ прикладено до обох областей напівпровідника

-     прикладено до обох областей напівпровідника

11.

Пiдвищення концентрацiї неосновних носiїв в р- i n-областях внаслiдок впливу зовнiшньої 

(1 бал)

інжекція

екстракція

дифузія

12.

Зростання потенцiального бар'єру р-n-переходу дифузiйнi струми основних носiїв

(1 бал)

зменшує

збільшує

залишає без змін

13.

При прямому включення р-n-переходу його опір 

(1 бал)

збільшується

зменшується

залишається без змін

14.

Вольт-амперна характеристика р-n-переходу це

(1 бал)

це графiк залежностi струму в зовнiшньому колi р-n-переходу вiд концентрації домішок

це графiк залежностi струму в зовнiшньому колi р-n-переходу вiд величини i полярностi напруги

це графiк залежностi напруги в зовнiшньому колi р-n-переходу вiд ширини переходу

15.

Зарядна ємнiсть визначається змiною нескомпенсованого заряду iонiв при змiнi ширини замикаючого шару пiд дiєю

(1 бал)

концентрації носіїв заряду

зовнішньої прямої напруги

зовнiшньої зворотної напруги

16.

Лавинний пробій виникає при 

(1 бал)

при прямому включенні р-n-переходу

при зворотному включенні р-n-переходу

при рівноважному стані

17.

Тепловий пробiй зумовлений 

(1 бал)

значним зростанням кiлькостi носiїв зарядiв в р-n-переході