Проектирование усилителя-фотоприёмника ВОСПИ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО СВЯЗИ

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧЕРЕЖДЕНИЕ

ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

«Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций

им. проф. М. А. Бонч-Бруевича»

Кафедра электроники и схемотехники[pic 1]

Курсовой проект

по дисциплине «Схемотехника»

на тему: «Проектирование усилителя-фотоприёмника ВОСПИ»

389 вариант

                                                                                            Выполнил:                                                                                                                                                                                      

                                                                                   Проверила:                                                                                                                                                                                                                                                                                                                    

Санкт-Петербург

2019 год

Оглавление

Проектное задание…………………………………………………………..3

Принципиальная схема……………………………………………………...4

Расчет элементов схемы по постоянному току……………………………5

Предварительный расчет резисторов по постоянному току……………...5

Предварительный расчет резисторов фотодиода V1………………….6

Предварительный расчет по постоянному току

каскада на полевом транзисторе V2……………………………………7

Анализ по постоянному току в FASTMEAN…………………………10

Расчет по постоянному току каскадов на биполярных

транзисторах V3, V4……………………………………………………12

Расчет по постоянному току в схеме на ОУ…………………………..14

Результаты расчета резисторов по постоянному току………………..14

Проверка расчета по постоянному току с помощью

программы FASTMEAN……………………………………………………14

Расчет по сигналу……………………………………………………………17

Функции сопротивления передачи…………………………………………20

Список литературы…………………………………………………………..22

Проектное задание

По заданным техническим условиям спроектировать устройство, работающее в режиме малого сигнала.

• Параметры фотодиода типа V1-ФДК-227:

Рабочее напряжение                                                              UРАБ = 10 B

Темновой ток                                                                          IТЕМ = 0,1 мкА

Амплитуда фототока                                                              IM1 = 1 мкА

• Параметры полевого транзистора типа КП307Г:

Напряжение затвор-исток                                                     UЗИ = -1 В

Начальный ток стока                                                             IС НАЧ = 16 мА

Крутизна макс.                                                                       SMAX = 12 мА/В

Напряжение отсечки                                                              UОТС = -3,5 В

Входная ёмкость                                                                    CЗИ = 5 пФ

Проходная ёмкость                                                                СЗС = 1,5 пФ

• Параметры биполярных транзисторов типа КТ316В:

Напряжение база-эмиттер                                                     UБЭ = 0,7 В

Доп. мощность, рассеиваемая на коллекторе                      PК = 150 мВт

Макс. напряжение коллектор-эмиттер                                 UКЭ MAX = 15 В