Исследование резисторного каскада предварительного усиления
Автор: Wearo Куколдов • Ноябрь 14, 2020 • Лабораторная работа • 596 Слов (3 Страниц) • 685 Просмотры
МОСКОВСКИЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ СВЯЗИ И ИНФОРМАТИКИ
[pic 1]
Схемотехника телекоммуникационных устройств.
Лабораторная работа №1
Тема: Исследование резисторного каскада предварительного усиления.
Исполнители: студенты гр. УБСС 1815
Кошемирин А.А, Азимов Н.М, Медведев Д.А.
Москва 2020
1. Цель работы: Исследовать характеристики резисторного каскада предварительного усиления; освоить методы схемотехнического моделирования на основе программы Micro Cap 11.
2. Принципиальная схема усилителя:
с[pic 2]
Напряжение источника питания V2 должно быть равным 9В.
Напряжение источника сигнала – 10 мВ, частота – 1 кГц.
Модели транзисторов в соответствии выбрать с номером подгруппы, выполняющей работу. Параметры моделей транзисторов приведены в Приложении 1.
5 подгруппа – транзистор KT368A
Ход работы
ВЫПОЛНЕНИЕ РАБОТЫ
1. Схема исследуемого каскада.
[pic 3]
2. Токи в ветвях и напряжения в узлах схемы.
[pic 4]
3. АЧХ и :[pic 5][pic 6]
Сквозной коэффициент усиления: [pic 7]
Коэффициент усиления напряжения: [pic 8]
[pic 9]
1) АЧХ каскада при изменении величины емкости от 0.25 мкФ до 250.25 мкФ с шагом 125 мкФ:[pic 10]
для [pic 11][pic 12]
для [pic 13][pic 14]
для [pic 15][pic 16]
[pic 17]
2) АЧХ каскада при изменении величины емкости от 100.1 мкФ до 0.1 мкФ с шагом -50 мкФ:[pic 18]
для [pic 19][pic 20]
для [pic 21][pic 22]
для [pic 23][pic 24]
[pic 25]
3) АЧХ каскада при изменении величины сопротивления от 6.2 кОм до 1.24 кОм с шагом -2.48 кОм:[pic 26]
для [pic 27][pic 28]
для [pic 29][pic 30]
для [pic 31][pic 32]
[pic 33]
ФЧХ каскада:
[pic 34]
Исследуем влияние С3, С4 и R5 на АЧХ каскада.
Для начала зададим изменение конденсатора С3 от 50 мкФ до 250 мкФ с шагом 25 мкФ.
Режим Stepping
[pic 35]
Точки для построения зависимости С3 от fн занесены в таблицу 1
Таблица 1
С3, мкФ | Fн,Гц |
50 | 126 |
75 | 85 |
100 | 50 |
125 | 48 |
150 | 45 |
175 | 40 |
200 | 37 |
225 | 32 |
250 | 30 |
Зависимость частоты среза fн от С3
[pic 36]
Изменяя емкость этого конденсатора, мы меняем глубину ООС, что непосредственно скажется на усилительных способностях исследуемого каскада в области низких частот. Чем больше будет величина емкости этого конденсатора, тем меньше ООС по переменному току будет влиять на выходной сигнал.
Теперь зададим изменение конденсатора С4 от 0.1 мкФ до 1.6мкФ с шагом 0.2 мкФ.
...