Изучение свойств полевых транзисторов
Автор: darstamyan • Октябрь 3, 2022 • Лабораторная работа • 475 Слов (2 Страниц) • 149 Просмотры
Лабораторная работа 2.
Изучение свойств полевых транзисторов
Цель работы: изучить основные свойства полевых транзисторов.
1. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (n - канал).
Соберем схему, как показано на рисунке 1.
[pic 1]
Рисунок 1 - Схема модели для исследования свойств транзистора с управляющим p-n переходом
Задавая напряжение сток-исток V2 = 5B; 10B, снимем стоко–затворные характеристики . Напряжение затвора V1 задается в пределах от +1 в до -4,25 В. Определим напряжение отсечки . Результаты занесем в таблицу.[pic 2][pic 3]
Таблица 1
V2, B | V1= , B[pic 4] | 1 | 0 | -1 | -2 | -3 | -3,25 | -3,5 | -3,75 | -4 | -4,25 |
5 | , mA[pic 5] | 3,91 | 3,89 | 2,97 | 0,79 | 0,0018 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
10 | , mA[pic 6] | 7,77 | 6,61 | 3,06 | 0,81 | 0,0019 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
По полученным данным построим ВАХ транзистора.
[pic 7]
Рисунок 2 – Стоко-затворные (входные) характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом
Напряжение отсечки – это напряжение, при котором канал перекрывается, составляет [pic 8]
Задавая напряжение на затворе V1 () равным 0 B; -1 B; -2 B, снимем выходные (стоковые) характеристики . Результаты занесем в таблицу.[pic 9][pic 10]
Таблица 2
V1 (), B[pic 11] | V2, B | 0 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 10 |
0 | , mA[pic 12] | 0 | 0,8 | 1,6 | 2,38 | 3,14 | 3,89 | 4,6 | 6,61 |
, B[pic 13] | 0 | 0,2 | 0,4 | 0,62 | 0,86 | 1,11 | 1,4 | 3,39 | |
-1 | , mA[pic 14] | 0 | 0,73 | 1,42 | 2,07 | 2,63 | 2,97 | 2,99 | 3,06 |
, B[pic 15] | 0 | 0,27 | 0,58 | 0,93 | 1,37 | 2,03 | 3,01 | 6,94 | |
-2 | , mA[pic 16] | 0 | 0,53 | 0,78 | 0,78 | 0,79 | 0,79 | 0,79 | 0,81 |
, B[pic 17] | 0 | 0,47 | 1,22 | 2,22 | 3,21 | 4,21 | 5,21 | 9,19 |
По полученным данным построим ВАХ транзистора.
[pic 18]
Рисунок 3 – Стоковые (выходные) характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом
2. МОП транзисторы с индуцированным каналом (n-канал).
Соберем схему согласно рисунку 4.
[pic 19]
Рисунок 4 - Схема для исследования свойств транзистора с индуцированным n-каналом
Задавая V2 = 5B; 10B, снимем стоко-затворные характеристики . Определим пороговое напряжение . Результаты занесем в таблицу 3.[pic 20][pic 21]
Таблица 3
V2, B | V1= , B[pic 22] | 1 | 1,1 | 1,3 | 1,5 | 1,8 | 2,0 | 2,5 | 3,0 | 3,5 |
5 | , mA[pic 23] | 0 | 0 | 0 | 0 | 0,002 | 0,32 | 4,83 | 4,92 | 4,94 |
10 | , mA[pic 24] | 0 | 0 | 0 | 0 | 0,003 | 0,42 | 9,35 | 9,82 | 9,88 |
По полученным данным построим ВАХ МОП транзистора.
[pic 25]
Рисунок 5 – Стоко-затворные (входные) характеристики полевого транзистора с индуцированным n-каналом
...