Исследование вентильных свойств p-n-перехода
Автор: seiro chin • Март 19, 2023 • Лабораторная работа • 499 Слов (2 Страниц) • 87 Просмотры
Министерство образования и науки Российской Федерации
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение
высшего образования
«СЕВЕРО-КАВКАЗСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ»
__Институт цифрового развития__
__Кафедра инфокоммуникаций___
Дисциплина Практическая электроника
ОТЧЕТ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ
____________Исследование вентильных свойств p-n-перехода_____________
(название работы)
Дата защиты: «__» _ _ 20 г. Оценка ______________________ | Выполнил: _ _ (ФИО) студент __ курса, группы очной формы обучения Проверил: _ _ _________________________________ (Подпись) |
Ставрополь, 20г.
Цели работы:
- экспериментальное исследование параметров и характеристик p-n-перехода;
- приобретение практических навыков работы с электронно-вычислительной техникой.
Исходные данные:
-модель p-n-перехода реализована в среде программирования Electronics Workbench.
Исследования:
Проведем исследование прямого и обратного токов следующих диодов p-n типа: “Ge_291oK”,“Si_291oK”,“AsGa_291oK”. Для этого в программе для моделирования цифровых и аналоговых электронных схем Electronics Workbench 5.12 откроем соответствующие диоды и будем с помощью амперметра измерять силу тока при прямом и обратном подключении. Таблицы и графики для всех транзисторов представлены ниже:
(везде указать ВАХи)
Таблица 1. Вольт-амперная характеристика прямого тока на диодах Ge_291oK, Si_291oK, AsGa_291oK
№Измерения | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | |
Ge | Uпр, мВ | 600 | 550 | 500 | 480 | 450 | 430 | 400 | 390 | 0 |
Iпр, мА | 637 | 289,5 | 109,4 | 71,35 | 36,69 | 23,3 | 11,68 | 9,26 | 0 | |
Si | Uпр, мВ | 840 | 800 | 750 | 700 | 680 | 640 | 600 | 580 | 0 |
Iпр, мА | 266,4 | 122,3 | 41,41 | 13,23 | 8,32 | 3,28 | 1,28 | 0,804 | 0 | |
AsGa | Uпр, мВ | 1200 | 1150 | 1100 | 1050 | 1000 | 950 | 900 | 850 | 0 |
Iпр, мА | 458,2 | 221,7 | 92,6 | 35,1 | 12,7 | 4,5 | 1,6 | 0,554 | 0 |
По данным полученным из Таблицы 1. построим графики функций :[pic 1]
[pic 2]
[pic 3]
[pic 4]
Таблица 2. Вольт-амперная характеристика обратного тока на диодах Ge_291oK, Si_291oK, AsGa_291oK
...